2SC364 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：5

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SC3645 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V) 采用FBET工艺高击穿电压（ VCEO = 160V ）
		2SC3646 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SC3647 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大
		2SC3648 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SC3649 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大

Total:51

总5条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	2SC3642 (1) 2SC3643 (1) 2SC3644 (1) 2SC3645 (3) 2SC3646 (4) 2SC3647 (6) 2SC3648 (5) 2SC3649 (3)
型号起始：	2SC364* (109) 2SC3642* (1) 2SC3643* (1) 2SC3644* (1) 2SC3645* (13) 2SC3646* (12) 2SC3647* (34) 2SC3648* (29) 2SC3649* (18)
所属品牌：	不限 KEXIN(32) UTC(31) ONSEMI(16) ETC(11) SANYO(8) TYSEMI(5) LGE(4) SWST(2)
功能分类：	不限开关(2) 晶体管(2) 高压(0) 晶体(2) 驱动(0) 小信号双极晶体管(0) 输出应用(0) PC(0) 放大器(0) 局域网(0) 驱动器(0)