型号等于:2SC3647 (12) 2SC3647R (1) 2SC3647S (1) 2SC3647T (1) 2SC3647U (1)
型号起始:2SC3647* (40) 2SC3647-* (8) 2SC3647G* (4) 2SC3647L* (5) 2SC3647R* (2) 2SC3647S* (3) 2SC3647T* (3) 2SC3647U* (1) 2SC3647_* (2)
所属品牌:不限 UTC(17) KEXIN(4) LGE(4) ONSEMI(3) ETC(2) SWST(2) SANYO(1) TYSEMI(1)
功能分类:不限 开关(0) 晶体管(0) 高压(0) 晶体(0) 小信号双极晶体管(0)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SC3647
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大
Total:11
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