品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC4520
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET , MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC4521
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET , MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SC4522
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. 大电流的能力。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC4523
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. 大电流的能力。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
晶体 晶体管 开关 |
Total:41
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