| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC4600
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Fast switching speed. 表面贴装型器件进行以下可能的。快速开关速度。 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2SC4601
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process. 表面贴装型器件进行以下可能的。通过MBIT过程。 |
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2SC4602
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Surface mount type device making the following possible. Fast switching speed. 表面贴装型器件进行以下可能的。快速开关速度。 |
开关 | |||
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2SC4615
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Large current calcity (IC=1A) High blocking voltage(VCEO 400V) 大电流calcity （ IC = 1A ）高阻断电压（ 400V VCEO ） |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC4616
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Large current calcity (IC=2A) High blocking voltage(VCEO 400V) 大电流calcity （ IC = 2A ）高阻断电压（ 400V VCEO ） |
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2SC4617
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Cob : Cob=2.0pF (Typ.) NPN silicon transistor 较低的玉米棒：玉米棒= 2.0pF （典型值）， NPN硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SC4618
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector capacitance. Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics. 低集电极电容。 RBB低，高增益和卓越的噪声性能。 |
晶体 晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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2SC4666
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High hFE: hFE = 600 3600 High collector current: IC = 150 mA (max) 高的hFE ：的hFE = 600 3600高集电极电流IC = 150 MA（最大） |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SC4667
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.) High speed switching time: tstg= 15 ns (typ.) 高转换频率： FT = 400 MHz（典型值）的高速开关时间（典型值） TSTG = 15纳秒 |
晶体 开关 晶体管 光电二极管 | |||
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2SC4672
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low Saturation Voltage, Typically VCE(sat) = 0.1V at IC/IB = 1A/50mA 低饱和电压，通常VCE （SAT） = 0.1V时IC / IB = 1A / 50毫安 |
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2SC4684
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation. 高直流电流增益。低集电极饱和电压。高功率耗散。 |
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2SC4694
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of MBIT process. High DC current gain. High VEBO (VEBO 25V). 通过MBIT过程。高直流电流增益。高VEBO （ VEBO 25V ） 。 |
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2SC4695
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process. Small ON resistance [Ron=1W (IB=5mA)]. 采用FBET过程。小通阻抗[罗恩= 1W （ IB = 5毫安）。 |
Total:131
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