| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC5310
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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2SC5342SF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage enabling low-voltage operation. 低集电极饱和电压从而实现了低电压操作。 |
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2SC5342UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage enabling low-voltage operation 低集电极饱和电压从而实现了低电压操作 |
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2SC5343SF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage: VCE=0.25V(Max.) Low output capacitance:Cob=2pF(Typ.) 低集电极饱和电压VCE = 0.25V （最大值）的低输出电容：玉米棒=为2pF （典型值） |
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2SC5343UF
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low collector saturation voltage : VCE=0.25V(Max.) Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) 低集电极饱和电压VCE = 0.25V （最大值）的低输出电容：玉米棒=为2pF （典型值） |
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2SC5355
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent switching times: tr = 0.5 ìs (max), tf = 0.3 ìs (max) High DC current gain: hFE = 20 (min) 出色的开关时间： TR = 0.5 ìs （最大） ， TF = 0.3 ìs （最 |
开关 | |||
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2SC5356
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Excellent switching times: tf= 0.5 ìs (max) (IC = 1.2 A) High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A) 出色的开关时间： TF = 0.5 ìs （最大值） （IC = 1.2 |
开关 |
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