型号等于：2SD1621 (6) 2SD1621R (1) 2SD1621S (1) 2SD1621T (1) 2SD1621U (1)
型号起始：2SD1621* (15) 2SD1621-* (4) 2SD1621R* (1) 2SD1621S* (1) 2SD1621T* (1) 2SD1621U* (1) 2SD1621_* (1)
所属品牌：不限 KEXIN(6) ETC(4) SANYO(1) TYSEMI(1)
功能分类：不限 开关(0) 晶体管(0) 晶体(0) 驱动器(0)

2SD1621 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：1

品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SD1621
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.
采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。
Total:11
总1条记录，每页显示30条记录分1页显示。
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