型号等于:2SD176 (1)
型号起始:2SD17* (871) 2SD170* (47) 2SD171* (32) 2SD172* (48) 2SD173* (54) 2SD174* (102) 2SD175* (126) 2SD176* (212) 2SD177* (108) 2SD178* (122) 2SD179* (20)
所属品牌:不限 ROHM(325) ETC(157) PANASONIC(100) ISC(57) KEXIN(30) NEC(29) SAVANTIC(18) RENESAS(15) JCST(12) ONSEMI(12) CJ(9) SECOS(9) TYSEMI(9) SHINDENGEN(8) BL Galaxy Electrical(7) UTC(7) JMNIC(6) SANYO(6) SWST(6) CHENMKO(5) SANKEN(5) WINNERJOIN(5) YANGJIE(5) MCC(4) FOSHAN(3) LGE(3) TOSHIBA(3) WEITRON(3) HOTTECH(2) HTSEMI(2) LITTELFUSE(2)
功能分类:不限 晶体(3) 晶体管(3) 开关(0) 局域网(0) 放大器(0) 光电二极管(1) 小信号双极晶体管(0) 功率双极晶体管(0) 达林顿晶体管(0) 输出元件(0) 斩波器(0) 双极型晶体管(0) 稳压器(0) 继电器(0) 电机(0) 驱动(0) 高功率电源(0) 功率放大器(0) PC(0) 电视(0) 输出应用(0) 驱动器(0)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SD1719
中文翻译 品牌: TYSEMI
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity
高正向电流传输比的hFE有良好的线性
2SD1733
中文翻译 品牌: TYSEMI
High VCEO, VCEO=80V . High IC, IC=1A (DC) . Good hFE linearity .
高VCEO , VCEO = 80V 。高集成电路, IC = 1A ( DC ) 。良好的hFE线性度。
2SD1757K
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low VCE(sat). (Typ.8mV at IC/IB = 10/1mA). Optimal for muting.
低VCE (SAT) 。 ( Typ.8mV在IC / IB = 10 / 1毫安) 。最佳的静音。
晶体 晶体管 光电二极管
2SD1758
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V Epitaxial planar type NPN silicon transistor
低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V外延平面型硅NPN晶体管
晶体 晶体管
2SD1760
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) Collector-base voltage VCBO 60 V
低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V (典型值)集电极 - 基极电压VCBO 60 V
晶体 晶体管
2SD1766
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB= 0.2A).
低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V (典型值) ( IC = 2A , IB = 0.2A ) 。
2SD1767
中文翻译 品牌: TYSEMI
High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A.
高击穿电压BVCEO = 80V ,大电流, IC = 0.7A 。
2SD1781K
中文翻译 品牌: TYSEMI
Very Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.1V(Typ.) IC / IB= 500mA / 50mA
非常低VCE ( sat)的.VCE (SAT) = -0.1V (典型值) IC / IB = 500毫安/ 50毫安
2SD1782K
中文翻译 品牌: TYSEMI
Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V(Typ.) IC / IB= 0.5A / 50mA High VCEO, VCEO=80V.
低VCE ( sat)的.VCE (SAT) = 0.2V (典型值) IC / IB = 0.5A / 50毫安高VCEO , VCEO
Total:91
总9条记录,每页显示30条记录分1页显示。