品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD1719
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity 高正向电流传输比的hFE有良好的线性 |
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2SD1733
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High VCEO, VCEO=80V . High IC, IC=1A (DC) . Good hFE linearity . 高VCEO , VCEO = 80V 。高集成电路, IC = 1A ( DC ) 。良好的hFE线性度。 |
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2SD1757K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). (Typ.8mV at IC/IB = 10/1mA). Optimal for muting. 低VCE (SAT) 。 ( Typ.8mV在IC / IB = 10 / 1毫安) 。最佳的静音。 |
晶体 晶体管 光电二极管 | |||
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2SD1758
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V Epitaxial planar type NPN silicon transistor 低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V外延平面型硅NPN晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD1760
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) Collector-base voltage VCBO 60 V 低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V (典型值)集电极 - 基极电压VCBO 60 V |
晶体 晶体管 | |||
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2SD1766
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB= 0.2A). 低VCE (SAT) , VCE (SAT) = 0.5V (典型值) ( IC = 2A , IB = 0.2A ) 。 |
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2SD1767
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A. 高击穿电压BVCEO = 80V ,大电流, IC = 0.7A 。 |
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2SD1781K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.1V(Typ.) IC / IB= 500mA / 50mA 非常低VCE ( sat)的.VCE (SAT) = -0.1V (典型值) IC / IB = 500毫安/ 50毫安 |
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2SD1782K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V(Typ.) IC / IB= 0.5A / 50mA High VCEO, VCEO=80V. 低VCE ( sat)的.VCE (SAT) = 0.2V (典型值) IC / IB = 0.5A / 50毫安高VCEO , VCEO |
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