2SD19 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SD1918 中文翻译品牌: TYSEMI	High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 高击穿电压（ BVCEO = 160V ），高转换频率。（ FT = 80MHZ ）
		2SD1935 中文翻译品牌: TYSEMI	Large current capacity. Low collector to emitter saturation voltage. 大电流的能力。低集电极到发射极饱和电压。
		2SD1949 中文翻译品牌: TYSEMI	High current.(IC=5A) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA 大电流（ IC = 5A）低饱和电压，通常为VCE （SAT） = 0.1V时IC / IB = 150毫安
		2SD1950 中文翻译品牌: TYSEMI	High dc current gain and good hFE. Low collector saturation voltage. High VEBO. 高直流电流增益和良好的hFE 。低集电极饱和电压。高VEBO 。	晶体晶体管开关
		2SD1963 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. 低饱和电压。优良的直流电流增益特性。	晶体晶体管开关
		2SD1979 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on resistance ron. High forward current transfer ratio hFE. 低导通电阻Ron 。高正向电流传输比hFE参数。
		2SD1997 中文翻译品牌: TYSEMI	Contains diode between collector and emitter. Low saturation voltage. 包含集电极和发射极之间的二极管。低饱和电压。	二极管
		2SD1998 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管
		2SD1999 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管

Total:91

总9条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	2SD198 (2)
型号起始：	2SD19* (589) 2SD190* (30) 2SD191* (79) 2SD192* (60) 2SD193* (55) 2SD194* (82) 2SD195* (72) 2SD196* (66) 2SD197* (48) 2SD198* (42) 2SD199* (55)
所属品牌：	不限 ROHM(263) ETC(114) PANASONIC(49) RENESAS(29) ISC(21) KEXIN(21) SANYO(19) HITACHI(17) NEC(13) SAVANTIC(12) TYSEMI(9) ONSEMI(5) TOSHIBA(4) CJ(2) FOSHAN(2) SECOS(2) SWST(2) Wing Shing(2) ISAHAYA(1) LGE(1) MITSUBISHI(1)
功能分类：	不限晶体(4) 晶体管(4) 开关(2) 局域网(0) 放大器(0) 功率双极晶体管(0) 光电二极管(0) 小信号双极晶体管(0) ISM频段(0) 功率放大器(0) 驱动(0) 二极管(3) 驱动器(0) 电机(0) 双极型晶体管(0) 电视(0) 输出应用(0) 高压(0) 显示器(0) PC(0) 达林顿晶体管(0)