型号等于：	2SD211 (2) 2SD217 (1) 2SD218 (1) 2SD219 (1)
型号起始：	2SD21* (995) 2SD210* (26) 2SD211* (103) 2SD212* (114) 2SD213* (102) 2SD214* (108) 2SD215* (190) 2SD216* (143) 2SD217* (85) 2SD218* (26) 2SD219* (98)
所属品牌：	不限 ROHM(444) ETC(153) RENESAS(81) PANASONIC(53) HITACHI(41) NEC(38) UTC(29) ISC(18) KEXIN(18) JCST(17) SECOS(17) TOSHIBA(11) TYSEMI(11) CJ(8) NAIS(8) SAVANTIC(8) SANYO(7) FOSHAN(4) WEITRON(4) JMNIC(3) SANKEN(3) WINNERJOIN(3) BL Galaxy Electrical(2) HOTTECH(2) HTSEMI(2) LGE(2) MCC(2) ONSEMI(2) TRSYS(2) SHINDENGEN(1) SWST(1)
功能分类：	不限晶体(6) 晶体管(6) 放大器(3) 开关(1) 局域网(0) 小信号双极晶体管(0) 功率双极晶体管(0) 功率放大器(2) 闪光灯(0) 光电二极管(0) 驱动器(0) 双极型晶体管(0) 达林顿晶体管(0) 继电器(0) 电机(0) 脉冲(0) 驱动(0) 高功率电源(0) 二极管(1) 齐纳二极管(1)

2SD21 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SD2114K 中文翻译品牌: TYSEMI	High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 高直流电流增益。高发射极 - 基极电压。低VCE （SAT）。
		2SD2115S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low frequency power amplifier.Collector to base voltage VCBO 150 V 低频功率amplifier.Collector到基极电压VCBO 150 V
		2SD2118 中文翻译品牌: TYSEMI	Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 低VCE （SAT）。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。	晶体晶体管
		2SD2121S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 35 V 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 35 V	晶体放大器晶体管功率放大器
		2SD2122S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 180 V 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 180 V	晶体放大器晶体管功率放大器
		2SD2150 中文翻译品牌: TYSEMI	Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 低VCE （SAT）。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。	晶体晶体管
		2SD2153 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. 低饱和电压。优良的直流电流增益特性。	晶体晶体管放大器
		2SD2167 中文翻译品牌: TYSEMI	Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion. 内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。齐纳二极管具有低电压分散性。	晶体二极管齐纳二极管晶体管开关
		2SD2185 中文翻译品牌: TYSEMI	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). the magazine packing. 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT）。该杂志的包装。
		2SD2198 中文翻译品牌: TYSEMI	Surface mount type device making the following possible. Low collector-to-emitter saturation voltage. 表面贴装型器件进行以下可能的。低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SD2199 中文翻译品牌: TYSEMI	Surface mount type device making the following possible. Low collector-to-emitter saturation voltage. 表面贴装型器件进行以下可能的。低集电极 - 发射极饱和电压。

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