型号等于:1N65 (6) 1N658 (1) 1N659 (2) 1N65A (2) 1N65G (1) 1N65L (1)
型号起始:1N65* (196) 1N65-* (1) 1N650* (14) 1N651* (70) 1N652* (28) 1N653* (17) 1N654* (15) 1N658* (4) 1N659* (5) 1N65A* (10) 1N65G* (13) 1N65L* (12) 1N65Q* (1)
所属品牌:不限 NJSEMI(44) MICROSEMI(41) UTC(35) VMI(35) SSDI(21) SENSITRON(6) DIGITRON(4) FAIRCHILD(2) UMW(2) ETC(1) HOTTECH(1) HVGT(1)
功能分类:不限 二极管(0) 整流二极管(0) 超快恢复二极管(0) 高压超快恢复二极管(0) 快速恢复二极管(0) 测试(0) 高压(0) CD(0) 光电(0) 局域网(0) (1) 栅极(1) 瞬态抑制器(0)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N65G
中文翻译 品牌: UMW
漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30 栅极
1N65L
中文翻译 品牌: UMW
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):1A;Vgs(th)(V):±30;漏源导通电阻:11Ω@10V
Total:21
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