型号等于:2N3879 (14)
型号起始:2N3879* (16) 2N3879S* (2)
所属品牌:不限 SEME-LAB(3) DIGITRON(1) GE(1) ISC(1) MICROSEMI(1) NJSEMI(1) SAVANTIC(1)
功能分类:不限 晶体(6) 晶体管(6) 局域网(6) 装置(2) 功率双极晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2N3879
中文翻译 品牌: GE
HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
高速外延集电极NPN硅平面晶体管
晶体 晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: NJSEMI
SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR
硅N-P -N平面晶体管
晶体 晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: MICROSEMI
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
NPN功率硅晶体管
晶体 晶体管 功率双极晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: SEME-LAB
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
NPN功率硅晶体管
晶体 晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: SAVANTIC
Silicon NPN Power Transistors
硅NPN功率晶体管
晶体 晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: ISC
Silicon NPN Power Transistors
硅NPN功率晶体管
晶体 晶体管 局域网
2N3879
中文翻译 品牌: DIGITRON
Polarity : NPN; Type : High Power; Power Dissipation : 35; Maximum Collector Current : 7; Maximum
Total:71
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