| 型号等于： | 2N6306 (14) |
| 型号起始： | 2N6306* (15) 2N6306L* (1) |
| 所属品牌： | 不限 CENTRAL(2) DIGITRON(1) ISC(1) MICROSEMI(1) NJSEMI(1) SAVANTIC(1) SEME-LAB(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(6) 晶体管(6) 高压(1) 装置(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6306
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN功率硅晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N6306
中文翻译 品牌: CENTRAL |
NPN SILICON TRANSISTOR NPN硅晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N6306
中文翻译 品牌: NJSEMI |
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 高压硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 高压 | |||
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2N6306
中文翻译 品牌: SAVANTIC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6306
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 在一个密封TO3双极NPN装置 |
装置 | ||
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2N6306
中文翻译 品牌: ISC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6306
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : NPN; Type : High Power; Power Dissipation : 125; Maximum Collector Current : 8; Maximum |
Total:71
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