| 型号等于： | 2SD1006 (6) |
| 型号起始： | 2SD1006* (33) 2SD1006-* (15) 2SD1006H* (11) 2SD1006_* (1) |
| 所属品牌： | 不限 NEC(14) KEXIN(9) ETC(3) RENESAS(3) TYSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 放大器(19) 晶体管(19) 晶体(8) ISM频段(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD1006
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD NPN硅外延晶体管功率MINI模具 |
晶体 晶体管 放大器 | ||
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2SD1006
中文翻译 品牌: KEXIN |
NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN硅外延型晶体管 |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SD1006
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High collector to emitter voltage: VCEO 100V. Collector-base voltage VCBO 100 V 高集电极到发射极电压： 100V VCEO 。集电极 - 基极电压VCBO 100 V |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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2SD1006
中文翻译 品牌: AITSEMI |
Polarity : NPN; IC (mA) : 700; VCEO (V) : 100; hFE Min/Max : 90/400; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 200/100/1; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB( | ||||
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2SD1006
中文翻译 品牌: SHIKUES |
元器件封装:SOT-89; |
Total:51
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