| 型号等于： | 2SD1950 (6) |
| 型号起始： | 2SD1950* (34) 2SD1950-* (7) 2SD1950V* (21) |
| 所属品牌： | 不限 RENESAS(19) NEC(7) ETC(3) KEXIN(1) TYSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(17) 晶体管(23) 晶体(10) 功率双极晶体管(4) ISM频段(3) 放大器(5) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
2SD1950
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD NPN硅外延晶体管功率MINI模具 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 开关 | ||
 |
2SD1950
中文翻译 品牌: KEXIN |
NPN Silicon Epitaxia NPN硅Epitaxia |
晶体 晶体管 开关 | |||
 |
2SD1950
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High dc current gain and good hFE. Low collector saturation voltage. High VEBO. 高直流电流增益和良好的hFE 。低集电极饱和电压。高VEBO 。 |
晶体 晶体管 开关 |
Total:31
总3条记录，每页显示30条记录分1页显示。