| 型号等于： | BC847CDW (4) |
| 型号起始： | BC847CDW* (9) BC847CDW-* (2) BC847CDW1* (3) |
| 所属品牌： | 不限 FORMOSA(2) ONSEMI(2) BL Galaxy Electrical(1) ETL(1) FUTUREWAFER(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC847CDW
中文翻译 品牌: FUTUREWAFER |
NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors | ||||
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BC847CDW
中文翻译 品牌: AITSEMI |
IC (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE Min/Max : 420/800; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/5; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB(mA) : 100/5; fT TYP(MH | ||||
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BC847CDW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
45V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor | ||||
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BC847CDW
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : NPN+NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 420; hFE = Max : 800; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) |
Total:41
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