| 型号等于： | BSS169I (2) |
| 型号起始： | BSS169I* (2) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
BSS169I
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。 |
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| 型号等于： | BSS169I (2) |
| 型号起始： | BSS169I* (2) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS169I
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。 |