| 型号等于： | IRFR024NTR (6) |
| 型号起始： | IRFR024NTR* (6) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(1) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | ||||
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:14A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:75mΩ@10V |
Total:31
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