品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0ATD0300ZBP
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
可提供两种型号:熔丝型和可拆卸型。 熔丝型可保持报警、车载计算机、中控门锁系统和无线电存储器预置等所有电路中的电流。 可拆卸型号带有特殊的断路开关,便于拆卸电池,可起到 | 电池 开关 无线 计算机 存储 | |||
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1.5SMCJ14CA
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 14V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN | 可编程只读存储器 局域网 光电二极管 | ||
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1.5SMCJ7.5
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes 单向和双向瞬态电压抑制二极管 |
二极管 光电二极管 局域网 可编程只读存储器 | |||
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39R08A3
中文翻译 品牌: SYNCMOS |
TSSOP20;8KFlash 1T8051MCU;工作电压: 1.8V ~ 5.5V 高速1T 架构,最高可达25MHz 1~8T 模式可使用软件编程 内置22.1184MHz RC 振荡器,及可程序化的分频器 8K 字节的片上闪存程序存储器 512 字节的标准的80 | 振荡器 闪存 计数器 存储 比较器 通信 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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39R16A3
中文翻译 品牌: SYNCMOS |
SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V ~ 5.5V 高速1T 架构,最高可达25MHz 1~8T 模式可使用软件编程 指令设置兼容 MCS-51 内置22.1184MHz RC振荡器 | 振荡器 闪存 存储 微控制器 | |||
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3KP11
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes 单向和双向瞬态电压抑制二极管 |
瞬态抑制器 二极管 局域网 可编程只读存储器 | |||
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5V19EE604NDGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE604NDGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE901NLGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟发生器 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE901NLGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE901PGGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE901PGGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟发生器 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE903NLGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 驱动 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 | ||
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5V19EE903NLGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 驱动 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 | ||
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5V19EE903PGGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 驱动 光电二极管 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 | ||
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5V19EE903PGGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 驱动 光电二极管 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 | ||
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5V19EE904NLGI
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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5V19EE904NLGI8
中文翻译 品牌: IDT |
EEPROM PROGRAMMABLE VCXO CLOCK GENERATOR EEPROM可编程VCXO时钟发生器 |
时钟驱动器 时钟发生器 逻辑集成电路 石英晶振 压控振荡器 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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AS4DDR264M65PBG1
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-3/ET
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-3/IT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | ||
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AS4DDR264M65PBG1-3/XT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-38/ET
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-38/IT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-38/XT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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AS4DDR264M65PBG1-5/ET
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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AS4DDR264M65PBG1-5/IT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
动态存储器 双倍数据速率 | ||
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AS4DDR264M65PBG1-5/XT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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AS4DDR264M65PBG1R-3/ET
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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AS4DDR264M65PBG1R-3/IT
中文翻译 品牌: AUSTIN |
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 |
内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 |