压控正弦波SAW 振荡器 - 型号起始 - 小信号双极晶体管; 总记录数：431

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		12A02MH-TL-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-12V，-1A，低饱和压，PNP 单 MCPH3	晶体管
		15C02MH-TL-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，15V 1A，低饱和压，NPN 单 MCPH3	晶体管
		2DD1766P-13 中文翻译品牌: DIODES	CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA;
		2N1600 中文翻译品牌: NJSEMI	SILICON PNPN CONTROLLED RECTIFIER PNPN硅控整流器	晶体小信号双极晶体管
		2N4033CSM4 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED PNP MEDIUM VOLTAGE TRANSISTOR IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE 高速PNP中压晶体管在陶瓷表面贴装封装	晶体晶体管
		2N5153 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关	晶体开关晶体管
		2N5154X-220M 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压	晶体晶体管开关局域网
		2N5154XSMD 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压	晶体晶体管开关
		2N5322 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关	晶体开关晶体管
		2N5323 中文翻译品牌: SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关	晶体开关晶体管
		2N5769 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3;
		2SA1768S-AN 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-180V，-160A，低饱和压，PNP 单 NMP	晶体管
		2SA1774TLQ EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封
		2SA1778 中文翻译品牌: SANYO	VHF Converter, Local Oscillator Applications 甚高频转换器，本地振荡器的应用	振荡器转换器
		2SA1952TLQ EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 4A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):80MHz;元器件封装:TO-252-3;
		2SA2018TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416;
		2SA2040-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA	晶体管
		2SA2040-TL-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA	晶体管
		2SA733P EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 10mA，100mA ;最大耗散功率Pd(W):625 mW ;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):50MHz ;元器件封装:
		2SAR523MT2L EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SAR523UBTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-85;
		2SAR553PFRAT100 EDA模型中文翻译品牌: RENESAS	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):2 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 35mA，700mA ;最大耗散功率Pd(W):500 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):320MHz ;元器件封装
		2SAR554RTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):340MHz;元器件封装:SC-96;
		2SB1121T-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-25V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP	PC 小信号双极晶体管
		2SB1122S-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-1A，低饱和压，PNP 单 PCP	PC 晶体管
		2SB1132T100Q 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
		2SB1198KT146R 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-23-3
		2SB1694T106 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):380mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SB1695KT146 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):370mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:SOT-23-3;
		2SB1710TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SC-96;

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