| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0603B103K500CT
中文翻译 品牌: RICHTEK |
最大输入耐压(V):6.5V;最大线性压差(V):180mV @ 3A;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃):125°C;元器件封装:0603; | ||||
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11640-101
中文翻译 品牌: ETC |
PLL Clock Generator IC with VCXO PLL时钟发生器IC与VCXO |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 石英晶振 压控振荡器 光电二极管 | |||
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11640-111
中文翻译 品牌: ETC |
PLL Clock Generator IC with VCXO PLL时钟发生器IC与VCXO |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 石英晶振 压控振荡器 光电二极管 | |||
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2DD1766P-13
中文翻译 品牌: DIODES |
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA; | |||
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2EDL8024G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计，如电信和 DC-DC 转换器 | 栅极驱动 电信 驱动器 转换器 | |||
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2N5769
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3; | |||
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2SA1201Y
中文翻译 品牌: SHIKUES |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):800mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):1V 500mA,50mA;最大耗散功率Pd(W):1W;变换频率ft(MHz):120MHz; | ||||
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2SA1312-BL
中文翻译 品牌: KIOXIA |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):125°C ;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-23-3; | ||||
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2SA1579T106R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):140MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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2SA1774TLQ
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封 | |||
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2SA1900T100Q
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP | |||
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2SA1952TLQ
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 4A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):80MHz;元器件封装:TO-252-3; | |||
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2SA2018TL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416; | |||
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2SA2030T2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-723; | |||
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2SA2071T100Q
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):3A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):2W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:TO-243AA; | |||
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2SA733P
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 10mA，100mA ;最大耗散功率Pd(W):625 mW ;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):50MHz ;元器件封装: | ||||
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2SAR502U3T106
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 10mA，200mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):520MHz ;元器 | ||||
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2SAR514RTL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):700mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 15mA, 300mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):380MHz;元器件封装:SC-96; | |||
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2SAR523MT2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723; | |||
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2SAR523UBTL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-85; | |||
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2SAR553PFRAT100
EDA模型
中文翻译 品牌: RENESAS |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):2 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 35mA，700mA ;最大耗散功率Pd(W):500 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):320MHz ;元器件封装 | |||
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2SAR554RTL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):340MHz;元器件封装:SC-96; | |||
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2SAR572D3TL1
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 100mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):10W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:TO-252-3; | |||
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2SAR574D3TL1
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):10W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:TO-252-3; | |||
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2SB1132T100Q
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP | |||
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2SB1198KT146R
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-23-3 | |||
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2SB1694T106
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):380mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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2SB1695KT146
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):370mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:SOT-23-3; | |||
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2SB1710TL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SC-96; | |||
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2SC2412KT146Q
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:NPN ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):180MHz ;元器件封 |