旋律IC - 型号起始 - 小信号双极晶体管; 总记录数：163

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2DD1766P-13 中文翻译品牌: DIODES	CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA;
		2N5401S-RTK/P 中文翻译品牌: KEC	CE结击穿电压Vceo(V):150V;最大集电极电流Ic(mA):600mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):350mW;
		2N5769 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3;
		2PA1576S,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323;
		2PC4081Q,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SA1576A-C 中文翻译品牌: SECOS	Configuration : Single ; Type : PNP ; PD (mW) : 200 ; VCBO (V) : -60 ; VCEO (V) : -50 ; IC (mA) : -150 ; hFE : 120/560 ; VCE(sat) : -1/-6 ; fT (MHz) :	光电二极管
		2SA1774TLQ EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封
		2SA1952TLQ EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 4A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):80MHz;元器件封装:TO-252-3;
		2SA2018TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416;
		2SA733P EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 10mA，100mA ;最大耗散功率Pd(W):625 mW ;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):50MHz ;元器件封装:
		2SAR523MT2L EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SAR523UBTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-85;
		2SAR553PFRAT100 EDA模型中文翻译品牌: RENESAS	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):2 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 35mA，700mA ;最大耗散功率Pd(W):500 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):320MHz ;元器件封装
		2SAR554RTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):340MHz;元器件封装:SC-96;
		2SB1132T100Q 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
		2SB1184 中文翻译品牌: SECOS	VCBO (V) : PNP ; VCEO (V) : 1 ; IC (A) : -60 ; Automotive : -50 ; Type : -3 ; hFE : 82 / 390 ; VCE(sat) : -500 / -3 ; fT (MHz) : -1 ;
		2SB1184TLR 中文翻译品牌: ROHM	Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD1864. 低VCE （ sat）的.VCE （SAT） = -0.5V （典型值）（ IC / IB = -2A	晶体小信号双极晶体管开关
		2SB1198KT146R 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-23-3
		2SB1694T106 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):380mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SB1695KT146 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):370mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:SOT-23-3;
		2SB1710TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SC-96;
		2SC1740S 中文翻译品牌: SECOS	Configuration : Single ; Type : NPN ; PD (mW) : 300 ; VCBO (V) : 60 ; VCEO (V) : 50 ; IC (mA) : 150 ; hFE : 120/560 ; VCE(sat) : 1/9 ; fT (MHz) : 0.4	光电二极管
		2SC2412KT146Q EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:NPN ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):180MHz ;元器件封
		2SC2884 中文翻译品牌: SECOS	Type : NPN ; PD (W) : 0.5 ; VCBO (V) : 35 ; VCEO (V) : 30 ; IC (A) : 0.8 ; hFE : 100 / 320 ; VCE(sat) : 100 / 1 ; fT (MHz) : 0.5 ; Pac	光电二极管
		2SC4738-C 中文翻译品牌: SECOS	Configuration : Single ; Type : NPN ; PD (mW) : 100 ; VCBO (V) : 60 ; VCEO (V) : 50 ; IC (mA) : 150 ; hFE : 200/700 ; VCE(sat) : 2/6 ; fT (MHz) : 0.25	光电二极管
		2SC5658T2LR EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SCR375P5T100Q 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 80mA, 800mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):200MHz;元器件封装:TO-243AA
		2SCR523UBTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):350MHz;元器件封装:SC-85;
		2SCR543RTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):3A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 100mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-96;
		2SCR554RTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-96;

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