有原始数据的样本ROM - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：10000+

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		0150SC-1250M 中文翻译品牌: MICROSEMI	1250Watts, 125 Volts, Class AB 150 to 160 MHz Silicon Carbide SIT 1250Watts ，电压125伏， AB类150 〜160 MHz的碳化硅SIT
		04023J1R5BBS 中文翻译品牌: FREESCALE	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 异质结双极晶体管技术（的InGaP HBT ）	晶体晶体管
		04023J22R0BBS 中文翻译品牌: FREESCALE	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 异质结双极晶体管技术（的InGaP HBT ）	晶体晶体管
		04023J8R2BBS 中文翻译品牌: FREESCALE	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 异质结双极晶体管技术（的InGaP HBT ）	晶体晶体管
		0405SC-1500M 中文翻译品牌: MICROSEMI	1500Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 1500Watts ，电压125伏， AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		0405SC-2200M 中文翻译品牌: MICROSEMI	2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 2200Watts ，电压125伏， AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT	晶体射频场效应晶体管放大器
		06F7752 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR MIT DRAIN STROM MESSAUSGANG 麻省理工学院的晶体管漏极STROM MESSAUSGANG\n	晶体晶体管
		0912LD20 中文翻译品牌: MICROSEMI	20 Watts, 28 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz LDMOS FET 20瓦， 28伏特，脉冲航空电子设备960到1215 MHz的LDMOS FET	晶体射频场效应晶体管脉冲电子放大器航空局域网
		1214-220M 中文翻译品牌: ADPOW	220 Watts - 40 Volts, 150ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 220瓦 - 40伏， 150毫秒， 10％的雷达一二零零年至1400年兆赫	晶体射频双极晶体管开关雷达局域网
		1214-32L 中文翻译品牌: ADPOW	32 Watts, 36 Volts Pulsed Radar at 1.2-1.4 GHz 32瓦， 36伏特的1.2-1.4 GHz的脉冲雷达	晶体射频双极晶体管开关脉冲雷达局域网
		15C01SS 中文翻译品牌: ONSEMI	Bipolar Transistor 15V, 0.6A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Large current capacity 双极晶体管15V ， 0.6A ，低VCE （ sat）的NPN单身自由进动电流容量大	晶体晶体管
		15C01SS-TL-E 中文翻译品牌: ONSEMI	Bipolar Transistor 15V, 0.6A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Large current capacity 双极晶体管15V ， 0.6A ，低VCE （ sat）的NPN单身自由进动电流容量大	晶体晶体管
		15GN03CA 中文翻译品牌: SANYO	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF High-frequency Amplifier Applications NPN外延平面硅晶体管VHF高频放大器的应用	晶体放大器晶体管
		15GN03FA 中文翻译品牌: SANYO	VHF High-frequency Amplifier Applications VHF高频放大器器的应用	放大器
		15GN03MA 中文翻译品牌: SANYO	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF High-frequency Amplifier Applications NPN外延平面硅晶体管VHF高频放大器的应用	晶体放大器晶体管
		15GN03NA 中文翻译品牌: SANYO	VHF High-frequency Amplifier Applications VHF高频放大器器的应用	晶体放大器晶体管
		15GN03SA 中文翻译品牌: SANYO	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF High-frequency Amplifier Applications NPN外延平面硅晶体管VHF高频放大器的应用	晶体放大器晶体管光电二极管
		1812SMS--27NJLC 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管射频
		1812SMS--47NJLC 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管射频
		1812SMS--82NJ 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管射频
		1812SMS--82NJL 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场 - 效果晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET	晶体晶体管射频
		1888-03 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS 射频与微波晶体管1.6 GHz的卫星通信应用	晶体晶体管射频微波通信
		1891-03 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS 射频与微波晶体管1.6 GHz的卫星通信应用	晶体晶体管射频微波通信
		1893-03 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHZ SATCOM APPLICATIONS 射频与微波晶体管1.6 GHz的卫星通信应用	晶体晶体管射频微波通信
		1897 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.65 GHz SATCOM APPLICATIONS 射频与微波晶体管1.65 GHz的卫星通信应用	晶体晶体管射频微波通信
		1898 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS 射频与微波晶体管1.6 GHz的卫星通信应用	晶体晶体管射频微波通信
		1ED44175N01B 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER™ 25 V单通道、低边、非反相栅极驱动器,适用于IGBT，拥有典型的2.6 A源漏电流，采用极小的6引脚PG-SOT23封装。	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		1EDC05I12AH 中文翻译品牌: INFINEON	1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出	栅极驱动双极性晶体管光电二极管接口集成电路驱动器
		1EDI05I12AF 中文翻译品牌: INFINEON	Separate output variant for IGBT 单独的输出变量的IGBT	双极性晶体管
		1EDI20I12AF 中文翻译品牌: INFINEON	Separate output variant for IGBT 单独的输出变量的IGBT	双极性晶体管

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