栅极 - 型号起始 - 场效应晶体管; 总记录数：528

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1HP04CH-TL-W 中文翻译品牌: ONSEMI	漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C	栅栅极
		2N5460 中文翻译品牌: NJSEMI	DRAIN-GATE VOLTAGE 漏极 - 栅极电压	栅极
		2N7002P,235 EDA模型中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC	栅栅极
		2N7002PS,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最	栅栅极
		2N7002PW,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小	栅栅极
		2SK2331 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2496 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2497 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2856 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ UHF波段低噪声放大器应用）	栅极放大器
		2SK3179 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE )UHF~SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE） UHF 〜 SHF波段低噪声放大器应用）	栅极放大器
		3N203 中文翻译品牌: MOTOROLA	DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER 双栅极MOSFET甚高频放大器	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		3N212 中文翻译品牌: MOTOROLA	Dual Gate Mosfet VHF Amplifier(N-Channel, Depletion) 双栅极MOSFET甚高频放大器（ N沟道，耗尽）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		3N213 中文翻译品牌: MOTOROLA	Dual Gate Mosfet VHF Amplifier(N-Channel, Depletion) 双栅极MOSFET甚高频放大器（ N沟道，耗尽）	栅极放大器
		AONS21357 中文翻译品牌: AOS	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21A (Ta), 36A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):7.8 mOhm @ 20A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg	栅栅极
		AOTL66401 中文翻译品牌: AOS	漏源电压Vdss(V):40 V ;额定电流Id(A):82A (Ta)，400A (Tc) ;最大导通阻抗Ron(mΩ):0.7 毫欧 @ 20A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):	栅栅极
		AP1332GEU-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Gate Drive 更低的栅极电荷，简单的栅极驱动	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP1332GEV-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode 更低的栅极电荷，门Pateded二极管	晶体栅极二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
		AP20T03GT-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement 更低的栅极电荷，简单的驱动要求	栅极驱动
		AP22T03GH-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge Simple Drive Requirement 更低的栅极电荷简单驱动要求	晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
		AP2302AGN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge 能够2.5V栅极驱动，低栅极电荷	晶体栅极晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管栅极驱动
		AP2302GN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Small package outline 能够2.5V栅极驱动，封装尺寸小	栅极栅极驱动
		AP2306AGEN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package 能够2.5V栅极驱动的，小外形封装	栅极栅极驱动
		AP2306CGN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance 能够2.5V栅极驱动，低导通电阻	晶体栅极晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管栅极驱动
		AP2306CGTN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance 能够2.5V栅极驱动，低导通电阻	栅极栅极驱动
		AP2308GEN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower Gate Charge 能够2.5V栅极驱动，低栅极电荷	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP2310GG-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic 更低的栅极电荷快速开关特性	晶体栅极开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
		AP2311GK-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic 简单的驱动要求，更低的栅极电荷快速开关特性	栅极开关驱动
		AP2314GN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance 能够2.5V栅极驱动，低导通电阻	晶体栅极小信号场效应晶体管光电二极管栅极驱动
		AP2318GEN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package 能够2.5V栅极驱动的，小外形封装	栅极栅极驱动
		AP2324GN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge 能够2.5V栅极驱动，低栅极电荷	栅极栅极驱动

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