所属品牌:不限 ETC(25462) INFINEON(17153) POWEREX(15851) TI(14749) IXYS(13325) XILINX(11611) MICROSEMI(8193) NXP(5793) MOTOROLA(5477) ACTEL(5470) VISHAY(5159) ONSEMI(5039) FAIRCHILD(4821) LITTELFUSE(4201) STMICROELECTRONICS(4077) TOSHIBA(3798) SICK(3139) RENESAS(2858) ROCHESTER(2715) INTEL(2211) NSC(1877) TECCOR(1801) LUMBERG(1621) LATTICE(1440) ALTERA(1381) PHILIPS(1267) SEMIKRON(1149) CRYDOM(1039) NEXPERIA(1021) DYNEX(1018) KODENSHI(732)
功能分类:不限 (151867) 栅极(83527) 现场可编程门阵列(20131) 局域网(29795) 时钟(12332) 可编程逻辑(20111) 触发装置(9996) 可控硅整流器(7612) 触发器(22156) 逻辑集成电路(33523) 光电二极管(22621) 三端双向交流开关(8645) CD(7720) 输入元件(16560) 可控硅(5040) 二极管(2088) 监控(873) 功率控制(2959) 晶体管(6635) 晶体(4303) 双极性晶体管(5127) 驱动器(2722) 栅极驱动(3035) 电源电路(875) 连接器(580) 集管和边缘连接器(480) LTE(2034) 光电(1295) 输出元件(2403) PC(1543) 光纤(512) (595) 石英晶振(2482) 电动机控制(1509) 监视器(263) 通信(294) 开关(2219) 无线(537) 变压器(245) 装置(270) LORA(543) 解复用器(263) 瞄准线(886) 闪存(147) 插座(261) 计数器(203) 传感器(135) 锁存器(188) 高功率电源(273) 移位寄存器(149) 转换器(592)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
AT69170E-DT-MQ
中文翻译 品牌: ATMEL
Field Programmable Gate Array, 时钟 ATM 异步传输模式 内存集成电路
AT69170E-DT-MQ
中文翻译 品牌: MICROCHIP
Field Programmable Gate Array 时钟 ATM 异步传输模式 内存集成电路
AT69170E-DT-SV
中文翻译 品牌: ATMEL
Field Programmable Gate Array, 时钟 内存集成电路
AT69170E-DT-SV
中文翻译 品牌: MICROCHIP
Field Programmable Gate Array 时钟 内存集成电路
LC35V1000BTS-70U
中文翻译 品牌: SANYO
Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM
异步硅栅1M ( 131,072字× 8位) SRAM
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
LC371100SM-20LV
中文翻译 品牌: SANYO
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC371100SP-20LV
中文翻译 品牌: SANYO
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC371100ST-20LV
中文翻译 品牌: SANYO
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC372100PP-20LV
中文翻译 品牌: SANYO
2 MEG (262144 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
2 MEG ( 262144字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC372100PT-20LV
中文翻译 品牌: SANYO
2 MEG (262144 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
2 MEG ( 262144字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC378000RP
中文翻译 品牌: SANYO
Internally Synchronized Silicon Gate 8M (1,048,576-word x 8-bit, 524,288-word x 16-bit) Mask ROM
内部同步硅栅8M ( 1,048,576字×8位, 524,288字×16位)掩膜ROM
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM
LC378100QM
中文翻译 品牌: SANYO
8 MEG (1048576 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
8 MEG ( 1048576字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
LC378100QT
中文翻译 品牌: SANYO
8 MEG (1048576 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate
8 MEG ( 1048576字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅
内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM 时钟
NT511740C5J-60
中文翻译 品牌: ETC
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology.
该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ?的C
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
NT511740C5J-70
中文翻译 品牌: ETC
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology.
该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ?的C
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
NT511740D0J-60
中文翻译 品牌: ETC
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTCs CMOS silicon gate technology.
该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC却CMOS
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
SST25PF020B-80-4C-SAE EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP
2 Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash 时钟 光电二极管 内存集成电路
SST26VF016B-104V/SN EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP
2.5V/3.0V 16 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory 时钟 光电二极管 内存集成电路
SST26VF064B-104I/SM EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP
2.5V/3.0V 64 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory 时钟 光电二极管 内存集成电路
TC51WHM616AXBN70
中文翻译 品牌: TOSHIBA
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
存储 内存集成电路 静态存储器
TC51WKM616AXBN75
中文翻译 品牌: TOSHIBA
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 4,194,304-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS 4194304 - WORD 16 - BIT的
存储 内存集成电路 静态存储器
TC53257P
中文翻译 品牌: TOSHIBA
256K BIT (32K WORD x 8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE MOS
BIT 256K ( 32K字×8位)的CMOS MASK ROM硅栅MOS
存储 内存集成电路 光电二极管 有原始数据的样本ROM
TC551001APL-70
中文翻译 品牌: TOSHIBA
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD *8 BIT STATIC RAM
硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001APL-70(LT)
中文翻译 品牌: TOSHIBA
暂无描述 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001APL-70L
中文翻译 品牌: TOSHIBA
暂无描述 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001APL-70L(LT)
中文翻译 品牌: TOSHIBA
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001BPL-70L
中文翻译 品牌: TOSHIBA
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM
硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 PC
TC551001BPL-85
中文翻译 品牌: TOSHIBA
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001BPL-85L
中文翻译 品牌: TOSHIBA
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM
硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
TC551001BPL-85V
中文翻译 品牌: TOSHIBA
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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