品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AT69170E-DT-MQ
中文翻译 品牌: ATMEL |
Field Programmable Gate Array, | 时钟 ATM 异步传输模式 栅 内存集成电路 | |||
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AT69170E-DT-MQ
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
Field Programmable Gate Array | 时钟 ATM 异步传输模式 栅 内存集成电路 | |||
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AT69170E-DT-SV
中文翻译 品牌: ATMEL |
Field Programmable Gate Array, | 时钟 栅 内存集成电路 | |||
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AT69170E-DT-SV
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
Field Programmable Gate Array | 时钟 栅 内存集成电路 | |||
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LC35V1000BTS-70U
中文翻译 品牌: SANYO |
Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM 异步硅栅1M ( 131,072字× 8位) SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | ||
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LC371100SM-20LV
中文翻译 品牌: SANYO |
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC371100SP-20LV
中文翻译 品牌: SANYO |
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC371100ST-20LV
中文翻译 品牌: SANYO |
1 MEG (131072 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 1 MEG ( 131072字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC372100PP-20LV
中文翻译 品牌: SANYO |
2 MEG (262144 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 2 MEG ( 262144字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC372100PT-20LV
中文翻译 品牌: SANYO |
2 MEG (262144 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 2 MEG ( 262144字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC378000RP
中文翻译 品牌: SANYO |
Internally Synchronized Silicon Gate 8M (1,048,576-word x 8-bit, 524,288-word x 16-bit) Mask ROM 内部同步硅栅8M ( 1,048,576字×8位, 524,288字×16位)掩膜ROM |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM | |||
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LC378100QM
中文翻译 品牌: SANYO |
8 MEG (1048576 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 8 MEG ( 1048576字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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LC378100QT
中文翻译 品牌: SANYO |
8 MEG (1048576 words x 8 bits) Mask ROM Internal Clocked Silicon Gate 8 MEG ( 1048576字× 8位)掩膜ROM内部时钟控制硅栅 |
内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM 时钟 | ||
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NT511740C5J-60
中文翻译 品牌: ETC |
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ?的C |
内存集成电路 光电二极管 栅 动态存储器 | |||
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NT511740C5J-70
中文翻译 品牌: ETC |
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ?的C |
内存集成电路 光电二极管 栅 动态存储器 | |||
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NT511740D0J-60
中文翻译 品牌: ETC |
The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTCs CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC却CMOS |
内存集成电路 光电二极管 栅 动态存储器 | |||
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SST25PF020B-80-4C-SAE
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2 Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash | 时钟 栅 光电二极管 内存集成电路 | ||
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SST26VF016B-104V/SN
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2.5V/3.0V 16 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory | 时钟 栅 光电二极管 内存集成电路 | ||
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SST26VF064B-104I/SM
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2.5V/3.0V 64 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory | 时钟 栅 光电二极管 内存集成电路 | ||
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TC51WHM616AXBN70
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS |
存储 内存集成电路 静态存储器 栅 | ||
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TC51WKM616AXBN75
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 4,194,304-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM 东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS 4194304 - WORD 16 - BIT的 |
存储 内存集成电路 静态存储器 栅 | ||
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TC53257P
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
256K BIT (32K WORD x 8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE MOS BIT 256K ( 32K字×8位)的CMOS MASK ROM硅栅MOS |
存储 内存集成电路 光电二极管 栅 有原始数据的样本ROM | |||
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TC551001APL-70
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD *8 BIT STATIC RAM 硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | ||
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TC551001APL-70(LT)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
暂无描述 | 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | |||
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TC551001APL-70L
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
暂无描述 | 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | |||
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TC551001APL-70L(LT)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | ||
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TC551001BPL-70L
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM 硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 PC | ||
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TC551001BPL-85
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | ||
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TC551001BPL-85L
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM 硅栅CMOS 131,072字×8位的静态RAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 | ||
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TC551001BPL-85V
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | 存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 栅 |