栅 - 型号起始 - 动态存储器; 总记录数：6

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		NT511740C5J-60 中文翻译品牌: ETC	The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ？的C	内存集成电路光电二极管栅动态存储器
		NT511740C5J-70 中文翻译品牌: ETC	The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTC?s CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC ？的C	内存集成电路光电二极管栅动态存储器
		NT511740D0J-60 中文翻译品牌: ETC	The NT511740C5J is a 4,194,304-word x 4-bit dynamic RAM fabricated in NTCs CMOS silicon gate technology. 该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC却CMOS	内存集成电路光电二极管栅动态存储器
		TC528128B 中文翻译品牌: TOSHIBA	SILICON GATE CMOS 131,072 WORDS x 8BITS MULTIPORT DRAM 硅栅CMOS 131,072字× 8位的多端口DRAM	栅动态存储器
		TC528128BJ 中文翻译品牌: TOSHIBA	SILICON GATE CMOS 131,072 WORDS x 8BITS MULTIPORT DRAM 硅栅CMOS 131,072字× 8位的多端口DRAM	栅动态存储器
		TC528128BZ 中文翻译品牌: TOSHIBA	SILICON GATE CMOS 131,072 WORDS x 8BITS MULTIPORT DRAM 硅栅CMOS 131,072字× 8位的多端口DRAM	栅动态存储器

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