| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1HP04CH-TL-W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C | 栅 栅极 | ||
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2N5460
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DRAIN-GATE VOLTAGE 漏极 - 栅极电压 |
栅极 | |||
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2N7002P,235
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC | 栅 栅极 | ||
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2N7002PS,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最 | 栅 栅极 | ||
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2N7002PW,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小 | 栅 栅极 | ||
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2N7002W_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):115mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):5Ω 10V,500mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2SK2331
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用） |
晶体 栅极 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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2SK2496
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用） |
晶体 栅极 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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2SK2497
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用） |
晶体 栅极 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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2SK2856
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ UHF波段低噪声放大器应用） |
栅极 放大器 | |||
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2SK3179
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE )UHF~SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE） UHF 〜 SHF波段低噪声放大器应用） |
栅极 放大器 | |||
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3N128
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL INSULATED-GATE DEPLETION-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR N沟道绝缘栅耗尽型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N142
中文翻译 品牌: ETC |
SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 硅绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N153
中文翻译 品牌: ETC |
SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 硅绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 开关 栅 | |||
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3N187
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL, DUAL-GATE TETRODE MOSFET N沟道双栅四极管MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 栅 | |||
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3N200
中文翻译 品牌: INTERSIL |
SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR 硅双绝缘栅型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N203
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER 双栅极MOSFET甚高频放大器 |
晶体 栅极 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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3N204
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N205
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N205
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL-GATE MOSFET 双栅MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 栅 | |||
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3N206
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N212
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Dual Gate Mosfet VHF Amplifier(N-Channel, Depletion) 双栅极MOSFET甚高频放大器（ N沟道，耗尽） |
晶体 栅极 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | ||
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3N212
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL-GATE MOSFET VHF AMPLIFIER 双栅MOSFET甚高频放大器 |
晶体 放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 栅 | |||
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3N213
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Dual Gate Mosfet VHF Amplifier(N-Channel, Depletion) 双栅极MOSFET甚高频放大器（ N沟道，耗尽） |
栅极 放大器 | ||
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3SK126
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TY TUNER, VHF RF AMPLIFIER, TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS) N沟道双栅MOS型（ TY TUNER ，甚高频射频功放，电视调谐器VHF混频器应用） |
晶体 晶体管 电视 射频 光电二极管 栅 放大器 | |||
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3SK126-O
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3J1A, 4 PIN, FET RF Small Signal | 晶体 晶体管 电视 射频 光电二极管 栅 放大器 | ||
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3SK127
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER, UHF MIXER APPLICATIONS) N沟道双栅MOS型（电视调谐器，超高频射频放大器， UHF混频器应用） |
晶体 射频放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 电视 光电二极管 栅 | ||
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3SK127-O
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3J1A, 4 PIN, FET RF Small Signal | 晶体 射频放大器 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 电视 光电二极管 栅 | |||
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3SK134B
中文翻译 品牌: NEC |
RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD RF放大器。超高频电视调谐器的N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管的4引脚MINI模具 |
晶体 放大器 晶体管 场效应晶体管 电视 光电二极管 栅 | ||
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3SK134B-UEE
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD, SC-61, 4 P | 晶体 放大器 晶体管 场效应晶体管 电视 光电二极管 栅 |