| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2EDL8024G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计，如电信和 DC-DC 转换器 | 栅极驱动 电信 驱动器 转换器 | |||
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ADSP-21MOD870-000
中文翻译 品牌: ADI |
Internet Gateway Processor 互联网网关处理器 |
调制解调器 电信集成电路 电信电路 栅 | |||
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ADSP-21MOD870-110
中文翻译 品牌: ADI |
Internet Gateway Processor Software 互联网网关处理器软件 |
调制解调器 电信集成电路 电信电路 栅 | |||
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BSC034N10LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC034N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动 | 开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC065N06LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC080N12LS G
中文翻译 品牌: INFINEON |
逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于 充电、 适配器 和 电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。 | 开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC094N06LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC096N10LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC096N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动 | 开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC120N12LS G
中文翻译 品牌: INFINEON |
逻辑电平 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 特别适用于?充电、?适配器?和?电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。 | 开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSC146N10LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC146N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动 | 开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSZ040N06LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | ||
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BSZ065N06LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSZ070N08LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | ||
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BSZ096N10LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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BSZ099N06LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | ||
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BSZ146N10LS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接 | 开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极 | |||
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E-STLC3085
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
Integrated Pots Interface for Home Access Gateway and WLL 综合POTS接口，用于家庭接入网关和WLL |
数字传输接口 电池 电信集成电路 电信电路 栅 WLL | ||
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EF4442CMB/TZ63
中文翻译 品牌: ATMEL |
ARINC 429 Multi-channel Buffer Receiver (RTA) (N Channel, Silicon Gate) ARINC 429多通道缓冲接收器（ RTA ） （ N沟道，硅栅） |
电信集成电路 栅 | |||
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EF4442CMG/BZ63
中文翻译 品牌: ATMEL |
ARINC 429 Multi-channel Buffer Receiver (RTA) (N Channel, Silicon Gate) ARINC 429多通道缓冲接收器（ RTA ） （ N沟道，硅栅） |
电信集成电路 栅 | |||
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EF4442EMB/C
中文翻译 品牌: ATMEL |
Telecom Circuit, 1-Func, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | 栅 | ||
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EF4442JMB/C
中文翻译 品牌: ATMEL |
Telecom Circuit, 1-Func, CDIP28, CERDIP-28 | 栅 | ||
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EF4442PVZ63
中文翻译 品牌: ATMEL |
ARINC 429 Multi-channel Buffer Receiver (RTA) (N Channel, Silicon Gate) ARINC 429多通道缓冲接收器（ RTA ） （ N沟道，硅栅） |
电信集成电路 光电二极管 栅 | |||
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HMC745LC3
中文翻译 品牌: ADI |
13 Gbps, Fast Rise Time XOR/XNOR Gate with Programmable Output Voltage and Positive Supply | 栅 电信 电信集成电路 石英晶振 | ||
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HMC745LC3TR
中文翻译 品牌: ADI |
13 Gbps, Fast Rise Time XOR/XNOR Gate with Programmable Output Voltage and Positive Supply | 栅 电信 电信集成电路 石英晶振 | ||
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HMC745LC3TR-R5
中文翻译 品牌: ADI |
13 Gbps, Fast Rise Time XOR/XNOR Gate with Programmable Output Voltage and Positive Supply | 栅 电信 电信集成电路 石英晶振 | ||
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IPB60R360CFD7
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌600V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB60R360CFD7，采用 D2PAK 封装，非常适用于高功率开关式电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。 作为CFD2超结 MOSFET 系列 的后继产品，与竞品相比，它减少了栅极电荷，改善了关断 | 电站 开关 栅 服务器 电信 栅极 | |||
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IPB65R041CFD7
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R041 | 电站 栅 服务器 电信 栅极 | |||
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IPB65R090CFD7
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R090CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R090 | 电站 栅 服务器 电信 栅极 | |||
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IPB65R110CFD7
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R110 | 电站 栅 服务器 电信 栅极 | |||
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IPB65R125CFD7
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPB65R125CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R125 | 电站 栅 服务器 电信 栅极 |