电信 - 型号起始 - 栅极; 总记录数：46

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		2EDL8024G 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计，如电信和 DC-DC 转换器	栅极驱动电信驱动器转换器
		BSC034N10LS5 中文翻译品牌: INFINEON	逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC034N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动	开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC065N06LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC080N12LS G 中文翻译品牌: INFINEON	逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于充电、适配器和电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。	开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC094N06LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC096N10LS5 中文翻译品牌: INFINEON	逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC096N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动	开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC120N12LS G 中文翻译品牌: INFINEON	逻辑电平 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 特别适用于?充电、?适配器?和?电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。	开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSC146N10LS5 中文翻译品牌: INFINEON	逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC146N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动	开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ040N06LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ065N06LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ070N08LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ096N10LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ099N06LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		BSZ146N10LS5 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接	开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
		IPB60R360CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌600V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB60R360CFD7，采用 D2PAK 封装，非常适用于高功率开关式电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。作为CFD2超结 MOSFET 系列的后继产品，与竞品相比，它减少了栅极电荷，改善了关断	电站开关栅服务器电信栅极
		IPB65R041CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R041	电站栅服务器电信栅极
		IPB65R090CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R090CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R090	电站栅服务器电信栅极
		IPB65R110CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R110	电站栅服务器电信栅极
		IPB65R125CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPB65R125CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R125	电站栅服务器电信栅极
		IPB65R155CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R155	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R065CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R065CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R095CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R095CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R115CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R115CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R130CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌?650 V CoolMOS??CFD7?超结?MOSFET?IPL65R130CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。? 作为?CFD2?超结?MOSFET?系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R160CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌?650 V CoolMOS??CFD7?超结?MOSFET?IPL65R160CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。? 作为?CFD2?超结?MOSFET?系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPL65R200CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R200CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器	电站栅服务器电信栅极
		IPP65R090CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD7 采用 TO-220 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPP65R00	电站栅服务器电信栅极
		IPP65R110CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R110CFD7 采用 TO-220 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPP65R11	电站栅服务器电信栅极
		IPP65R155CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R155CFD7 采用 TO-220 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPP65R04	电站栅服务器电信栅极
		IPP65R190CFD7 中文翻译品牌: INFINEON	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R190CFD7 采用 TO-220 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPP65R19	电站栅服务器电信栅极

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