| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AN-1077
中文翻译 品牌: INFINEON |
PFC Converter Design with IR1150 One Cycle Control IC PFC转换器的设计与IR1150单周控制IC |
转换器 功率因数校正 | |||
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AN-8021
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Building Variable Output Voltage Boost PFC Converters 建立可变输出电压升压式PFC转换器 |
转换器 功率因数校正 | |||
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BD7690FJ
中文翻译 品牌: ROHM |
作为AC/DC用功率因数校正转换器（Power Factor Correction: PFC），本产品为所有需要改善功率因数的产品提供优良系统。PFC部采用临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection降低开关损耗和噪声。采用基于电阻的零电流检测方式，无需ZCD用辅助绕组。 | 开关 功率因数校正 转换器 | |||
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BD7691FJ
中文翻译 品牌: ROHM |
作为AC/DC用功率因数校正转换器（Power Factor Correction: PFC），本产品为所有需要改善功率因数的产品提供优良系统。PFC部采用临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection降低开关损耗和噪声。采用基于电阻的零电流检测方式，无需ZCD用辅助绕组。 | 开关 功率因数校正 转换器 | |||
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BD7692FJ
中文翻译 品牌: ROHM |
作为AC/DC用功率因数校正转换器（Power Factor Correction: PFC），本产品为所有需要改善功率因数的产品提供优良系统。PFC部采用临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection降低开关损耗和噪声。采用基于电阻的零电流检测方式，无需ZCD用辅助绕组。 | 开关 功率因数校正 转换器 | |||
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BD7693FJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD7693FJ是一款功率因数校正（Power Factor Correction：PFC）转换器，可为各种需要改善功率因数的产品提供理想系统。PFC部分采用临界模式，通过检测过零电流，可以降低开关损耗和噪声。内置了可减少总谐波失真（THD）的电路，因此可以支持 IEC61000-3-2 Class | 开关 功率因数校正 转换器 | |||
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BD7694FJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD7694FJ是一款功率因数校正（Power Factor Correction：PFC）转换器，可为各种需要改善功率因数的产品提供理想系统。PFC部分采用临界模式，通过检测过零电流，可以降低开关损耗和噪声。内置了可减少总谐波失真（THD）的电路，因此可以支持 IEC61000-3-2 Class | 开关 功率因数校正 转换器 | |||
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BM1050AF
中文翻译 品牌: ROHM |
BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正（Power Factor Correction）转换器（以下简称PFC部）与DC/DC转换器（以下简称DC/DC部）的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作，有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部 | 通信 开关 控制器 微控制器 软启动 脉冲 功率因数校正 转换器 | |||
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BM1051F
中文翻译 品牌: ROHM |
BM1051F是组合了应对高次谐波的功率因数校正（Power Factor Correction）转换器（以下简称PFC部）与DC/DC转换器（以下简称DC/DC部）的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作，有助于实现低EMI。BM1051F内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均外 | 通信 开关 控制器 微控制器 软启动 脉冲 功率因数校正 转换器 | |||
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BM1C101F
中文翻译 品牌: ROHM |
作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C101F为带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控 | 开关 软启动 脉冲 功率因数校正 插座 转换器 | |||
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BM1C102F
中文翻译 品牌: ROHM |
作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电 | 开关 软启动 脉冲 功率因数校正 插座 转换器 | |||
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BM28723AMUV
中文翻译 品牌: ROHM |
BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正（Power Factor Correction）转换器（以下简称PFC部）与DC/DC转换器（以下简称DC/DC部）的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作，有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均 | 通信 开关 控制器 微控制器 软启动 脉冲 功率因数校正 转换器 | |||
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CCM-BOOST
中文翻译 品牌: INFINEON |
CCM PFC Boost Converter Design CCM PFC升压转换器的设计 |
转换器 功率因数校正 升压转换器 | |||
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CRD1500-90WLLC
中文翻译 品牌: CIRRUS |
CS1500 90W, High-efficiency PFC w/ LLC Resonant Converter Reference Design CS1500 90W ，高效PFC W / LLC谐振转换器参考设计 |
转换器 功率因数校正 | |||
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DRP-240-24
中文翻译 品牌: MEANWELL |
240W Single Output Industrial DIN RAIL Power Supply 240W单路输出工业DIN导轨式电源供应 |
功率因数校正 输出元件 输入元件 | ||
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FAM65CR51DZ1
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率集成模块 (PIM) 升压转换器级，用于多相和半无桥 PFC | 升压转换器 功率因数校正 | |||
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FAM65CR51DZ2
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率集成模块 (PIM) 升压转换器级，用于多相和半无桥 PFC | 升压转换器 功率因数校正 | |||
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FAN4803CP-1
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
8-Pin PFC and PWM Controller Combo 8引脚PFC和PWM控制器组合 |
功率因数校正 控制器 | ||
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FAN4803CP-2
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
8-Pin PFC and PWM Controller Combo 8引脚PFC和PWM控制器组合 |
功率因数校正 光电二极管 控制器 | ||
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FAN4803CP1
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
8-Pin PFC and PWM Controller Combo 8引脚PFC和PWM控制器组合 |
稳压器 开关式稳压器或控制器 电源电路 开关式控制器 功率因数校正 光电二极管 | ||
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FAN4803CP2
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
8-Pin PFC and PWM Controller Combo 8引脚PFC和PWM控制器组合 |
功率因数校正 控制器 | ||
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HVLED007
EDA模型
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
反激式转换器的过渡模式PFC控制器 | 控制器 功率因数校正 转换器 | |||
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IMW120R007M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 | |||
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IMW120R014M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 | |||
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IMW120R020M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 | |||
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IMW120R030M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体 | |||
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IMW120R040M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 | |||
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IMW120R045M1
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装， 基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体 | |||
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IMW120R060M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体 | |||
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IMW120R090M1H
中文翻译 品牌: INFINEON |
IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电 | 开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体 |