| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
10AM05
中文翻译 品牌: GHZTECH |
5.0 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 1000 MHz 5.0瓦， 20伏特，A类线性至1000 MHz |
||||
 |
151-05
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82
晶体管| BJT | NPN | 50V V（ BR ） CEO | 6A I（C ） | TO- 82\n |
晶体 晶体管 | |||
|
152-05
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82
晶体管| BJT | NPN | 50V V（ BR ） CEO | 6A I（C ） | TO- 82\n |
晶体 晶体管 | |||
|
153-05
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | STR-1/4
晶体管| BJT | NPN | 50V V（ BR ） CEO | 7.5AI （ C） | STR -1/4 |
晶体 晶体管 | |||
|
163-05
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16
晶体管| BJT | NPN | 50V V（ BR ） CEO | 20A I（C ） | STR - 5月16日\n |
晶体 晶体管 | |||
|
164-05
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16
晶体管| BJT | NPN | 50V V（ BR ） CEO | 20A I（C ） | STR - 5月16日\n |
晶体 晶体管 | |||
 |
 |
1EDC05I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出 | 栅极驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
|
 |
1EDI05I12AF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Separate output variant for IGBT 单独的输出变量的IGBT |
双极性晶体管 | ||
 |
 |
1MB05-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 | ||
|
|
1MB05D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 | ||
|
 |
1MBC05-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
|
|
1MBC05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
1MBG05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | |||
|
 |
1MBH05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
 |
1MBH05D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网 | ||
 |
 |
2N2891SMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 在密封双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 | ||
 |
2N2955_05
中文翻译 品牌: UTC |
SILICON PNP TRANSISTORS 硅PNP晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
|
2N3053SMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 在密封双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 | ||
 |
2N3390-J05Z
中文翻译 品牌: TI |
25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 开关 晶体管 | |||
 |
 |
2N3390J05Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
|
2N3392/J05Z
中文翻译 品牌: TI |
100mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 小信号双极晶体管 | |||
|
2N3416/J05Z
中文翻译 品牌: TI |
500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 小信号双极晶体管 | |||
|
2N3417/J05Z
中文翻译 品牌: TI |
500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 开关 晶体管 | |||
|
|
2N3417J05Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
|
|
2N3420SMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 在密封双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 | ||
|
|
2N3421ASMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 在密封双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 | ||
|
|
2N3421SMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 在密封双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 | ||
|
2N3663J05Z
中文翻译 品牌: TI |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 放大器 晶体管 | |||
|
|
2N3663J05Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, 3 PIN | 放大器 晶体管 | ||
|
|
2N3703J05Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 |