06 000 - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：5012

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		06F7752 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR MIT DRAIN STROM MESSAUSGANG 麻省理工学院的晶体管漏极STROM MESSAUSGANG\n	晶体晶体管
		06N80C3 中文翻译品牌: INFINEON	Cool MOS™ Power Transistor 酷MOS ™功率晶体管	晶体晶体管
		10-0B06PPA004RC-L022A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA006RC-L023A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC-L025A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC01-L025A19 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC02-L025A89 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PRA004RC-L022C09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-FE06PPA020SJ-LJ01B08Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ04-LJ02B03Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		151-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-82 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 6A I（C ） \| TO- 82\n	晶体晶体管
		152-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-82 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 6A I（C ） \| TO- 82\n	晶体晶体管
		153-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 7.5A I(C) \| STR-1/4 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 7.5AI （ C） \| STR -1/4\n	晶体晶体管
		154-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 7.5A I(C) \| STR-1/4 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 7.5AI （ C） \| STR -1/4\n	晶体晶体管
		15N06 中文翻译品牌: UTC	N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N沟道增强型低阈值功率MOS晶体管	晶体晶体管
		15N06G-TA3-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		15N06G-TF3-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		15N06G-TN3-R 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		15N06L-S08-R 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管
		15N06L-S08-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管
		15N06L-TA3-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		15N06L-TF3-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		15N06L-TN3-R 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		15N06L-TN3-T 中文翻译品牌: UTC	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管
		163-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		164-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		1MBH20D-060-S06TT 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel	局域网栅晶体管
		1SD312F2-DIM600NSM45-F000 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SP0335D2S1-DIM750ASM65-TS000 中文翻译品牌: POWERINT	单通道SCALE-2即插即用型驱动器，具有主/从操作功能，可驱动3300 V到6500 V的IGBT（需配备外置的DC/DC电源）IGBT电压等级 : IGBT Voltage Class 450	驱动双极性晶体管驱动器

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