06 100 - 型号起始 - 双极性晶体管; 总记录数：2368

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		10-0B06PPA004RC-L022A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA006RC-L023A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC-L025A09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC01-L025A19 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PPA010RC02-L025A89 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-0B06PRA004RC-L022C09 中文翻译品牌: VINCOTECH	Optimised collector emitter saturation voltage and forward voltage for low conduction losses;Reverse conductive IGBT technology;Smooth switching perfo	双极性晶体管
		10-EZ122PC100M7-PL39F78T 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT M7 Easy paralleling Low turn-off losses Low collector emitter saturation voltage Positive temperature coefficient Short tail current Switching o	双极性晶体管
		10-FE06PPA020SJ-LJ01B08Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ04-LJ02B03Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FY07LBA100S5-PG08J58T 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		100GAL12DN2 中文翻译品牌: ETC	IGBT Module IGBT模块\n	双极性晶体管
		100GB120DN2 中文翻译品牌: ETC	IGBT Module IGBT模块\n	双极性晶体管
		100GB120DNK 中文翻译品牌: ETC	IGBT Module IGBT模块\n	双极性晶体管
		100GB170DN2 中文翻译品牌: ETC	IGBT Module IGBT模块\n	双极性晶体管
		100GT120DN2 中文翻译品牌: ETC	IGBT Module IGBT模块\n	双极性晶体管
		1MBH65-100 中文翻译品牌: ETC	IGBT mold type IGBT模式	晶体晶体管开关功率控制双极性晶体管栅局域网
		1MBI100FE060 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C) 晶体管\| IGBT功率模块\|独立\| 600V V（ BR ） CES \| 100A I（C ）\n	晶体晶体管双极性晶体管
		1MBI100U4F-120L-50 中文翻译品牌: FUJI	IGBT MODULE (U series) 1200V / 100A / 1 in one package IGBT模块（ U系列） 1200V / 100A / 1在一个封装	双极性晶体管
		1SD312F2-CM400HB-90H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD312F2-CM600HB-90H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD312F2-CM900HC-90H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD312F2-DIM600NSM45-F000 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD312F2-MBN900D45A 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-5SNA1200E250100 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-5SNA1200E330100 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-5SNA1500E330300 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-CM1200HB-66H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-CM1200HC-50H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极
		1SD418F2-CM1200HC-66H 中文翻译品牌: POWERINT	最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块;	栅驱动双极性晶体管驱动器栅极

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