| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2ED28073J06F
中文翻译 品牌: INFINEON |
600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。 | 栅极驱动 双极性晶体管 二极管 | |||
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2ED28073J06FXUMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
栅极驱动器IC | 栅极驱动 驱动器 | |||
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6ED003L06-F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Integrated 3 Phase Gate Driver 集成3相栅极驱动器 |
驱动器 MOSFET驱动器 栅极 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 栅极驱动 | ||
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6ED2742S01Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱 | 通信 电机 栅极驱动 高压 脉冲 二极管 驱动器 | |||
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BD16950EFV-C
中文翻译 品牌: ROHM |
BD16950EFV是符合AEC-Q100的2ch半桥栅极驱动器。可通过从外部MCU执行16位串行外设接口（SPI）进行控制。可独立控制高边/低边Nch-MOSFET，可通过MCU以各种模式进行控制。而且，用于调整转换速率的可变驱动电流设定适用于EMI和高效率驱动。错误信号可通过MCU读取。还可通过 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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BD2320EFJ-LA
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品面向工业设备市场、可保证长期稳定供货。是适合这些用途的产品。BD2320EFJ-LA是可驱动使用阴极负载方式的外接Nch-FET的100V耐压高边/低边栅极驱动器。内置100V耐压自举二极管，输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能，高边及低边搭载低电压误动作防止电路(UVL | 栅极驱动 二极管 驱动器 | |||
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BD2320UEFJ-LA
中文翻译 品牌: ROHM |
该产品是能够保证向工业设备市场长期供应的产品，而且是非常适用于这些应用领域的产品。BD2320UEFJ-LA是一款100V耐压的高低边栅极驱动器，可驱动使用自举方式的外置Nch-FET。该产品内置100V耐压的自举二极管，输入逻辑电源电压支持3.3V和5.0V。作为保护功能，高边和低边都配有欠压锁定 | 生产线 栅极驱动 二极管 驱动器 | |||
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CS5301_06
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Three−Phase Buck Controller with Integrated Gate Drivers and Power Good 三相降压控制器，集成了栅极驱动器和电源良好 |
驱动器 栅极 栅极驱动 控制器 | |||
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DRV8300-Q1
中文翻译 品牌: TI |
具有自举二极管的汽车类 100V（最大值）简单三相栅极驱动器 | 栅极驱动 二极管 驱动器 | |||
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DRV8300DPWRQ1
中文翻译 品牌: TI |
具有自举二极管的汽车类 100V（最大值）简单三相栅极驱动器 | PW | 20 | -40 to 125 | 栅极驱动 二极管 驱动器 | |||
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DRV8300U
中文翻译 品牌: TI |
具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器 | 栅极驱动 二极管 驱动器 | |||
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GT05-111-100
中文翻译 品牌: ICE |
Gate Drive Transformer 栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | |||
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HCPL-5120-100
中文翻译 品牌: AGILENT |
2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器 |
栅极 光电 双极性晶体管 栅极驱动 | |||
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HCPL-5121-100
中文翻译 品牌: AGILENT |
2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器 |
栅极 光电 双极性晶体管 栅极驱动 | |||
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HCPL-5150-100
中文翻译 品牌: AGILENT |
0.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器 |
栅极 光电 双极性晶体管 栅极驱动 | |||
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HCPL-5151-100
中文翻译 品牌: AGILENT |
0.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器 |
栅极 光电 输出元件 双极性晶体管 栅极驱动 | |||
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ICE3AR0680VJZ
中文翻译 品牌: INFINEON |
离线 SMPS 电流模式控制器，配备集成 800V CoolMOS? 和 启动单元（输入 OVP 和频率抖动），采用 DIP-7 封装 ICE3AR0680VJZ 是 ICE3ARxx80JZ (CoolSET?-F3R 800V) 改款型号，采用 DIP-7 封装。该产品增加输入 OVP 功能，但 | 栅极驱动 控制器 功率控制 | ||
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ICE3AR1080JG
中文翻译 品牌: INFINEON |
ICE3AR1080JG (CoolSET?-F3R80) 是增强型 800 V MOSFET 版本 ICE3BRxx65J (CoolSET?-F3R 650V)，采用 DSO- 16/12 封装。尤其是，其在 100 kHz 运行，实现了掉电功能，并安装有 800 V CoolMOS? 和启动电 | 电池 PC 栅极驱动 DVD 服务器 功率控制 | ||
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ICE3AR1080VJZ
中文翻译 品牌: INFINEON |
离线 SMPS 电流模式控制器，配备集成 800V CoolMOS? 和 启动单元（输入 OVP 和频率抖动），采用 DIP-7 封装 ? ICE3AR1080VJZ 是 ICE3ARxx80JZ (CoolSET?-F3R 800V) 改款型号，采用 DIP-7 封装。该产品增加输入 OVP 功能 | 栅极驱动 控制器 功率控制 | ||
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ICE3AR2280JG
中文翻译 品牌: INFINEON |
ICE3AR2280JG (CoolSET?-F3R80) 是增强型 800 V MOSFET 版本 ICE3BRxx65J (CoolSET?-F3R 650V)，采用 DSO- 16/12 封装。尤其是，其在 100 kHz 运行，实现了掉电功能，并安装有 800 V CoolMOS? 和启动电 | 电池 PC 栅极驱动 DVD 服务器 功率控制 | ||
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ICE3AR2280VJZ
中文翻译 品牌: INFINEON |
离线 SMPS 电流模式控制器，配备集成 800V CoolMOS? 和 启动单元（输入 OVP 和频率抖动），采用 DIP-7 封装 ? ICE3AR2280VJZ 是 ICE3ARxx80JZ (CoolSET?-F3R 800V) 改款型号，采用 DIP-7 封装。该产品增加输入 OVP 功能 | 栅极驱动 控制器 功率控制 | ||
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ICE3AR4780JG
中文翻译 品牌: INFINEON |
? ICE3AR4780JG (CoolSET?-F3R80) 是增强型 800 V MOSFET 版本 ICE3BRxx65J (CoolSET?-F3R 650V)，采用 DSO- 16/12 封装。尤其是，其在 100 kHz 运行，实现了掉电功能，并安装有 800 V CoolMOS? 和启 | 电池 PC 栅极驱动 DVD 服务器 功率控制 | ||
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IRL520SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN | 晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 栅极驱动 | |||
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IX4340NE
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
IX4340NE是符合AEC-Q100标准的汽车级双路、大电流、低侧栅极驱动器。 两个输出都能提供和吸收5A的峰值电流，并具有20V的最大额定电压。 两个输出可以并联，用于更高电流的应用。 快速传 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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IXYA24N100A4HV
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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IXYA24N100C4HV
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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IXYP24N100A4
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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IXYP24N100C4
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。 | 栅极驱动 双极性晶体管 | |||
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LM5102
中文翻译 品牌: TI |
具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 | 栅极驱动 驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 | ||
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LM5104
中文翻译 品牌: TI |
具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 | 栅极驱动 驱动器 |