所属品牌:不限 AMPHENOL(10281) VISHAY(9532) ITT(5107) MICROSEMI(4164) SURGE(3755) TE(1958) ETC(1629) GLENAIR(1323) HRS(1300) KEMET(1106) KYOCERA AVX(839) BETLUX(733) YAGEO(611) CTS(534) NUVOTON(527) LATTICE(494) CK-COMPONENTS(430) DELTA(413) SAMTEC(401) INTEL(399) LITTELFUSE(389) RECOM(346) SILICON(346) NXP(307) TI(260) SAMSUNG(230) PANASONIC(199) SEAWARD(182) ONSEMI(179) PHILIPS(179) CATALYST(171)
功能分类:不限 连接器(7840) 开关(5155) 光电二极管(6156) 翘板开关(3087) 整流二极管(2707) 桥式整流二极管(2618) 圆形连接器(2642) 军用圆形连接器(2628) 局域网(4543) 二极管(5425) 电视(3899) 电容器(818) 石英晶振(937) 微控制器(458) 旋转开关(368) 压控振荡器(345) 拨动开关(430) 瞬态抑制器(379) 转换器(397) 局域网(LAN)标准(231) PC(998) 过滤器(293) 插座(443) LTE(322) 时钟(528) (326) 可编程逻辑(223) 栅极(362) 稳压器(150) 振荡器(329) 光纤(170) 机械(137) 固定电容器(97) 编码器(114) 可编程只读存储器(350) 电动程控只读存储器(277) 电可擦编程只读存储器(273) 内存集成电路(437) 光电(231) 放大器(366) 闪存(256) 电阻器(128) CD(201) 电源电路(107) 功率放大器(90) 电位器(64) 高效整流二极管(71) 以太网:16G BASE-T(67) 电信(84) 电信集成电路(83) 静态存储器(69)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
GLT4160L04SE-40J3
中文翻译 品牌: ETC
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT
与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器
GLT4160L04SE-50J3
中文翻译 品牌: ETC
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT
与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器
GLT4160L04SE-70J3
中文翻译 品牌: ETC
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT
与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器
HY5S2B6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X 2M X 16位同步DRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟
HY5S2B6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X 2M X 16位同步DRAM
动态存储器
HY5S5A6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 时钟 动态存储器 内存集成电路
HY5S5A6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 时钟 动态存储器 内存集成电路
HY5S5A6DSF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 时钟 动态存储器 内存集成电路
HY5S5A6DSFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 时钟 动态存储器 内存集成电路
HY5S5B2BLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S5B2BLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S5B2CLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S5B3CLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 时钟 动态存储器 内存集成电路
HY5S5B6ELF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O
动态存储器
HY5S5B6ELFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O
动态存储器
HY5S5B6GLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory
的256Mbit ( 16Mx16bit )移动SDR记忆
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S5B6GLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory
的256Mbit ( 16Mx16bit )移动SDR记忆
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S6B6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X1M X 16位同步DRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
HY5S6B6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X1M X 16位同步DRAM
动态存储器
HY5S6B6DSF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X1M X 16位同步DRAM
动态存储器
HY5S6B6DSFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
4Banks X1M X 16位同步DRAM
动态存储器
K4M51323PC-SE
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Mobile-SDRAM
移动SDRAM
动态存储器
K4M51323PC-SE1L
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Mobile-SDRAM
移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
K4M51323PC-SE1L0
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 时钟 动态存储器 内存集成电路
K4M51323PC-SE75
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Mobile-SDRAM
移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
K4M51323PC-SE750
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 时钟 动态存储器 内存集成电路
K4M51323PC-SE75T
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90 时钟 动态存储器 内存集成电路
K4M51323PC-SE90
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Mobile-SDRAM
移动SDRAM
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟
K4M51323PC-SE900
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 时钟 动态存储器 内存集成电路
K4M51323PC-SE90T
中文翻译 品牌: SAMSUNG
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