品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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GLT4160L04SE-40J3
中文翻译 品牌: ETC |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT 与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器 | |||
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GLT4160L04SE-50J3
中文翻译 品牌: ETC |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT 与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器 | |||
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GLT4160L04SE-70J3
中文翻译 品牌: ETC |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT 与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 输出元件 动态存储器 | |||
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HY5S2B6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X 2M X 16位同步DRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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HY5S2B6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X 2M X 16位同步DRAM |
动态存储器 | ||
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HY5S5A6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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HY5S5A6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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HY5S5A6DSF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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HY5S5A6DSFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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HY5S5B2BLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM 256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S5B2BLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM 256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S5B2CLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM 256M ( 8Mx32bit )移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S5B3CLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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HY5S5B6ELF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O 基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O |
动态存储器 | ||
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HY5S5B6ELFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O 基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O |
动态存储器 | |||
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HY5S5B6GLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory 的256Mbit ( 16Mx16bit )移动SDR记忆 |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S5B6GLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory 的256Mbit ( 16Mx16bit )移动SDR记忆 |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S6B6DLF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X1M X 16位同步DRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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HY5S6B6DLFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X1M X 16位同步DRAM |
动态存储器 | ||
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HY5S6B6DSF-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X1M X 16位同步DRAM |
动态存储器 | ||
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HY5S6B6DSFP-SE
中文翻译 品牌: HYNIX |
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks X1M X 16位同步DRAM |
动态存储器 | |||
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K4M51323PC-SE
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Mobile-SDRAM 移动SDRAM |
动态存储器 | |||
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K4M51323PC-SE1L
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Mobile-SDRAM 移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | |||
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K4M51323PC-SE1L0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M51323PC-SE75
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Mobile-SDRAM 移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | |||
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K4M51323PC-SE750
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M51323PC-SE75T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M51323PC-SE90
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Mobile-SDRAM 移动SDRAM |
存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 | |||
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K4M51323PC-SE900
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M51323PC-SE90T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
暂无描述 | 存储 内存集成电路 动态存储器 时钟 |