所属品牌:不限 WALSIN(317410) VISHAY(256171) KEMET(122172) KYOCERA AVX(106990) GLENAIR(85969) ETC(85392) ITT(84212) AMPHENOL(80195) MICROSEMI(80157) KOA(71642) MSYSTEM(66297) YAGEO(57810) ABRACON(43720) RICOH(42197) ECLIPTEK(39650) CTS(32040) MTRONPTI(30213) PANASONIC(28061) SAMTEC(27661) VICOR(27360) BOURNS(26955) RCD(26775) HONEYWELL(26202) MURATA(26117) EUROQUARTZ(26051) SOURCE(22784) MAXIM(22633) ADI(19841) QT(19586) GOLLEDGE(19028) TE(18115)
功能分类:不限 电阻器(98289) 连接器(114276) 光电二极管(206420) 电容器(96116) 测试(81145) 二极管(89638) 驱动(40794) 晶体(47268) 谐振器(38160) 开关(80341) 翘板开关(31293) 光电(33878) 传感器(24007) 压力传感器(17894) 稳压器(19902) 机械(25470) 振荡器(42258) PC(40611) 局域网(35086) 射频感应器(15239) 电感器(27590) 陶瓷电容器(11762) 输出元件(51600) 调节器(24323) 信息通信管理(12245) 电视(15211) 转换器(22371) 军事(13142) LTE(8596) 医疗(7607) 医疗器械(6909) 石英晶振(31044) 压控振荡器(17019) 温度补偿晶振(12802) 有源晶体振荡电路(7776) 时钟(18492) 齐纳二极管(13487) 编码器(13189) 高压(8090) 动态存储器(14701) 双倍数据速率(8373) 连接器支架(5225) 继电器(12453) 铝电解电容器(4766) 端子和端子排(6737) D 型连接器(4306) 集管和边缘连接器(5119) 电池(5141) 电子(4964) 便携式(4174) 静态存储器(13998)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
100B1R5JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
N沟道增强模式横向的MOSFET
100B5R6JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
N沟道增强模式横向的MOSFET
10N60C5M
中文翻译 品牌: IXYS
CoolMOS Power MOSFET
的CoolMOS功率MOSFET
145N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS
N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh™ V Power MOSFET in Max247 package
N沟道650 V, 0.012 I©典型值, 138 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET在MAX247包
1SD418F2-5SNA1200E250100
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-5SNA1200E330100
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-5SNA1500E330300
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
21N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS
N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET
N沟道650 V, 0.175 Ω , 17的PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV超低栅极电荷
栅极
2EDB8259F
中文翻译 品牌: INFINEON
EiceDRIVER? 2EDB8259F是一款具有浮动输出的双通道隔离栅极驱动器IC。这款强大的5 A/9 A源/汇双通道栅极驱动器具有非常高的150 V/ns CMTI(共模瞬态抗扰度),可在高功率开关噪声环境中与CoolMOS?、CoolGaN? GIT HEMT一起稳健运行。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7434F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7434R
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7523F
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523FXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7523G
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523GXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7523R
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523RXUMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524F
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524FXTMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8-60; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524F_16
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524G
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524GXTMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524R
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524RXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7533B
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7533F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7533R
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534B
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534G
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
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