| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1MBC10D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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1MBH10D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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2MBI1200VG-170E
中文翻译 品牌: FUJITSU |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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6MBI10F-060
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT (600V 10A) IGBT （ 600V 10A ） |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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6MBI10L-060
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT MODULE(600V 10A) IGBT模块（ 600V 10A ） |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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6MBI10S-120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT MODULE(1200V/10A) IGBT模块（ 1200V / 10A ） |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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7MBR10NE120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT(1200V/10A) | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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7MBR10NF-120
中文翻译 品牌: ETC |
7 PIM IGBT
7 PIM IGBT\n |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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7MBR10SA120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT(1200V/10A) | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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AWT6108RM10P8
中文翻译 品牌: ANADIGICS |
GSM850/GSM900/DCS/PCS Quad Band Power Amplifier Module With Integrated Power Control GSM850 / GSM900 / DCS / PCS四频功率放大器模块集成功率控制 |
放大器 功率控制 功率放大器 过程控制系统 分布式控制系统 PCS GSM DCS | |||
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BL8812B
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8812B是一款满足六级能效标准的原边反馈小功率控制芯片。内部集成了650V/2A的高压功率MOS，最大功率10W，用于充电器，适配器，LED驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于75MW的 | 驱动 高压 功率控制 | |||
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CM10LD-12H
中文翻译 品牌: POWEREX |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-21 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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DF650R17IE4BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DF900R12IP4DBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DIM1200DDM17-E000
中文翻译 品牌: DYNEX |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D, 10 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | |||
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FD600R17KF6C_B2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 975A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FD650R17IE4DB2BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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FF100R12MT4BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 135A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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FF1200R12IE5PBPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF1200R17KP4B2NOSA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF150R12MT4BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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FF300R06ME3
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF400R06ME3
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF450R17IE4BOSA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF600R17KE3B2NOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF650R17IE4PBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF800R17KP4B2NOSA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF900R12IE4PBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FF900R12IE4VPBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP10R06W1E3BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |