品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1M7804-20DLG4
中文翻译 品牌: TI |
512 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 512 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7804-20DLRG4
中文翻译 品牌: TI |
512 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 512 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7805-15DLG4
中文翻译 品牌: TI |
256 】 18 CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 256 】 18主频先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7806-40DLG4
中文翻译 品牌: TI |
256 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 256 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7807-15PAGG4
中文翻译 品牌: TI |
2KX9 OTHER FIFO, 12ns, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | 时钟 先进先出芯片 内存集成电路 | ||
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1M7813-25DLRG4
中文翻译 品牌: TI |
64 x18 CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 64 X18主频先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7814-40DLG4
中文翻译 品牌: TI |
64 x 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 64 ×18选通的先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7881-20PNG4
中文翻译 品牌: TI |
1KX18 OTHER FIFO, 13ns, PQFP80, GREEN, PLASTIC, LQFP-80 | 时钟 先进先出芯片 内存集成电路 | ||
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25AA1024I/P
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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25AA1024I/SM
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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25AA1024TI/SM
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DSM-8 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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25LC512-M/SN
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
SPI BUS SERIAL EEPROM | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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25LC512T-M/SN
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
SPI BUS SERIAL EEPROM | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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25LC640A-M/SN
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
64K SPI Bus Serial EEPROM Extended (M) Operating Temperatures 64K SPI总线串行EEPROM扩展( M)工作温度 |
存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 | ||
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27256-17M
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
27256-17M | ||||
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27256-25M/KB
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
27256-25M/KB | ||||
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29F0408RPFB
中文翻译 品牌: MAXWELL |
32 Megabit (4M x 8-Bit) Flash Memory 32兆位( 4M ×8位)快闪记忆体 |
内存集成电路 | ||
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29F0408RPFE
中文翻译 品牌: MAXWELL |
32 Megabit (4M x 8-Bit) Flash Memory 32兆位( 4M ×8位)快闪记忆体 |
闪存 存储 内存集成电路 | ||
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4-SR-1M
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 | |||
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511000A11M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Fast Page DRAM, 1MX1, 110ns, CMOS, CDSO20 | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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511000A12M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514100A80M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, CDSO20 | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514100A90M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
IC,DRAM,FAST PAGE,4MX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514256A11M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514256A12M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514256A8M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, CDSO20 | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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514256A9M/BUAJC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 动态存储器 内存集成电路 | |||
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54F189L1M
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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54F219L1M
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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54F403L1M
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
FIFO, 16X4, 56ns, Synchronous, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | 先进先出芯片 内存集成电路 |