品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6661M1A
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2N7081-220M-ISO
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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2N7614M1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAG | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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2SK1085-M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SK1098-M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SK1101-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 晶体管 | |||
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2SK1102-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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2SK1547-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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2SK1548-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET N沟道硅功率MOS -FET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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2SK1817-M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
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2SK1821-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SK2022-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | ||
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2SK2228
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-8M1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SK2230
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-8M1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SK2253-01M
中文翻译 品牌: FUJI |
N-channel MOS-FET N沟道MOS - FET的 |
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2SK3799(Q,M)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS | ||||
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2SK3816-DL-1E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N-Channel Power MOSFET, 60V, 40A, 26mΩ, Single TO-262-3L/TO-263-2L, D2PAK / TO-263-2L, 800-REEL | |||
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2SK3820-DL-1E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N-Channel Power MOSFET, 100V, 26A, 60mΩ, Single TO-263-2L | |||
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2SK4066-DL-1E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N-Channel Power MOSFET, 60V, 100A, 4.7mΩ, TO-262-3L/TO-263-2L, D2PAK / TO-263-2L, 800-REEL | |||
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2SK4094-1E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N 沟道功率 MOSFET,60V,100A,5mΩ,TO-220-3L | |||
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2SK4125-1E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N-Channel Power MOSFET, 600V, 17A, 610mΩ, TO-3P-3L, TO-3P-3L, 30-TUBE | |||
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3LN01M
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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3LN03M-TL-E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,350MA I(D),SOT-323 | ||||
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476KXM050M
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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477KXM063M
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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A20M18LVFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS V FREDFET 功率MOS V FREDFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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AONS21357
中文翻译 品牌: AOS |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21A (Ta), 36A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):7.8 mOhm @ 20A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg | 栅 栅极 | |||
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AOTL66401
中文翻译 品牌: AOS |
漏源电压Vdss(V):40 V ;额定电流Id(A):82A (Ta),400A (Tc) ;最大导通阻抗Ron(mΩ):0.7 毫欧 @ 20A,10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC): | 栅 栅极 | |||
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AP10TN030M
中文翻译 品牌: A-POWER |
SO-8 | ||||
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AP34M60B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB, ROHS COMPLIANT, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |