107-0,6M8,5%查询 - Datasheet ICPDF资料库

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2MBI100L-120 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M215, 7 PIN	局域网栅开关功率控制晶体管
		2MBI450UN-120V 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, M254, 11 PIN	局域网栅功率控制晶体管
		2MBI600TN-060V 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, M254, 11 PIN	局域网栅功率控制晶体管
		6MBI35S-I20 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN	局域网栅功率控制晶体管
		6MBI50S-I20 中文翻译品牌: FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN	局域网栅功率控制晶体管
		APT50GN60BDQ3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN	局域网栅功率控制晶体管
		APT50GN60BDQ3(G) 中文翻译品牌: MICROSEMI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	局域网栅功率控制晶体管
		AUIRG7CH80K6B-M 中文翻译品牌: INFINEON	AUTOMOTIVE GRADE 汽车级	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		CPV362M4FPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SIP-13	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV362M4UPBF 中文翻译品牌: VISHAY	IGBT SIP Module (Fast IGBT) IGBT SIP模块（快速IGBT）	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV363M4FPBF 中文翻译品牌: VISHAY	暂无描述	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV363M4K 中文翻译品牌: INFINEON	IGBT SIP MODULE IGBT模块SIP	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV363M4KPBF 中文翻译品牌: VISHAY	IGBT SIP Module (Short Circuit Rated Ultrafast IGBT) IGBT SIP模块（额定短路超快IGBT）	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV363M4UPBF 中文翻译品牌: VISHAY	IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT) IGBT SIP模块（超快IGBT ）	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV364M4KPBF 中文翻译品牌: INFINEON	IGBT SIP MODULE IGBT模块SIP	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV364M4KPBF 中文翻译品牌: VISHAY	CPV364M4KPBF (Short Circuit Rated Ultrafast IGBT) CPV364M4KPBF （短路额定IGBT超快）	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
		CPV364M4U 中文翻译品牌: INFINEON	IGBT SIP MODULE IGBT模块SIP	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
		CPV364M4UPBF 中文翻译品牌: VISHAY	IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT) IGBT SIP模块（超快IGBT ）	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF100R06KF3 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C) \| M:HL080HD5.3 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 600V V（ BR ） CES \| 100A I（C ） \| M ： HL080H	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF180R17KF 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.7KV V(BR)CES \| 180A I(C) \| M:HL093HW060 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 1.7KV V（ BR ） CES \| 180A I（C ） \| M ： HL09	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF200R06KF3 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.4 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 1.2KV V（ BR ） CES \| 200A I（C ） \| M ： HL08	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF300R06KF3 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 600V V（ BR ） CES \| 300A I（C ） \| M ： HL093H	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF300R12KE4_B2 中文翻译品牌: INFINEON	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and M5 power terminals 62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT 4 ，发射极控制二极管和M5电源端子	晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
		FF30R17KF 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.7KV V(BR)CES \| 30A I(C) \| M:HL080HD5.3 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 1.7KV V（ BR ） CES \| 30A I（C ） \| M ： HL080H	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF50R06KF3 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| M:HL080HD5.3 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 600V V（ BR ） CES \| 50A I（C ） \| M ： HL080HD5	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF600R12KF1 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 600A I(C) \| M:HL124HW114 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 1.2KV V（ BR ） CES \| 600A I（C ） \| M ： HL12	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF75R06KF3 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| M:HL080HD5.3 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 600V V（ BR ） CES \| 75A I（C ） \| M ： HL080HD5	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FF90R17KF 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.7KV V(BR)CES \| 90A I(C) \| M:HL093HW048 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \|双\| 1.7KV V（ BR ） CES \| 90A I（C ） \| M ： HL093H	晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
		FS75R12W2T4B11BOMA1 中文翻译品牌: INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33	局域网栅功率控制晶体管
		GT40M101 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) N沟道IGBT （大功率开关应用）	晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源

107-0,6M8,5% - 型号起始 - 功率控制; 总记录数：60