| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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05002G0F
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier 可控硅整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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05006G0F
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier 可控硅整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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05008G0F
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier 可控硅整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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05012G0F
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier 可控硅整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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15102G0AIL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 200V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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15104G0AIL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 400V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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15106G0AIL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 600V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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15108G0A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier 可控硅整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | |||
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15108G0AIL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
暂无描述 | 栅极 触发装置 可控硅整流器 | |||
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15110G0AIL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 1000V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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1A1G04QDBVRG4Q1
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
汽车类单路 2V 至 5.5V 反相器 | DBV | 5 | -40 to 125 | 栅 光电二极管 逻辑集成电路 触发器 栅极 | ||
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1EDN7116G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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1EDN7126G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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1EDN7136G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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1EDN7146G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC，专为 CoolGaN™ SG HEMT 和硅 MOSFET 而优化 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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1N60G
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:600V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30 | 栅 栅极 | |||
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1N65G
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30 | 栅 栅极 | |||
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1P1G08MDBVREPG4
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE 单路2输入正与门 |
栅极 触发器 逻辑集成电路 光电二极管 输入元件 PC | ||
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1P1G14MDBVREPG4
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
SINGLE SCHMITT-TRIGGER INVERTER 单施密特触发器逆变器 |
栅极 触发器 逻辑集成电路 光电二极管 PC | ||
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2EDL8024G
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计，如电信和 DC-DC 转换器 | 栅极驱动 电信 驱动器 转换器 | |||
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2EDN7534G
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器，专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
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2N5060G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers 敏感栅硅控整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N5061G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers 敏感栅硅控整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N5062G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers 敏感栅硅控整流器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N6344G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
该三端双向可控硅主要用于全波交流控制应用，例如灯光调节器、电机控制、加热控制与电源；或用于需要全波硅门控固态设备的应用。 任一电极加载阳极电压并触发正极或负极栅极后，三端双向可控硅型晶闸管会从阻断 | 电机 栅 栅极 调节器 可控硅 | ||
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2N6349G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
800V, 8A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN | 栅极 触发装置 三端双向交流开关 | ||
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2N6394G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS 硅控整流器SCR的12安培RMS 50通800伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 | ||
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2N6395G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS 硅控整流器SCR的12安培RMS 50通800伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 | ||
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2N6397G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源。 功能与特色: | 局域网 PC 电机 栅 栅极 | ||
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2N6399G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS 硅控整流器SCR的12安培RMS 50通800伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 |