品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0805G102M101NT
中文翻译 品牌: RFMD |
380W GaN WIDEBAND PULSED 380W氮化镓WIDEBAND脉冲 |
脉冲 | |||
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099-04AT1G
中文翻译 品牌: UMW |
反向截止电压(Vrwm):5V;极性/通道数(Channel):4-Line,Unidirectional;击穿电压(VBR):6V;峰值脉冲电流(Ipp):1A;最大钳位电压(Vc):1.8V;电容(Cj):0.35pF | 脉冲 | |||
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1.5KE16ARL4G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):13.6V;最小反向击穿电压VBR(V):15.2V;最大钳位电压Vc(V):22.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):67A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:轴向; | 脉冲 | ||
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1.5KE24ARL4G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):20.5V;最小反向击穿电压VBR(V):22.8V;最大钳位电压Vc(V):33.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):45A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:轴向; | 脉冲 | ||
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1.5KE62ARL4G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):53V;最小反向击穿电压VBR(V):58.9V;最大钳位电压Vc(V):85V;最大峰值脉冲电流IPP(A):17.7A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:轴向; | 脉冲 | ||
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1.5KE75ARL4G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):64.1V;最小反向击穿电压VBR(V):71.3V;最大钳位电压Vc(V):103V;最大峰值脉冲电流IPP(A):14.6A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:轴向; | 脉冲 | ||
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1.5KE91ARL4G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):77.8V;最小反向击穿电压VBR(V):86.5V;最大钳位电压Vc(V):125V;最大峰值脉冲电流IPP(A):12A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:轴向; | 脉冲 | ||
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1.5SMC13AT3G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):11.1V;最小反向击穿电压VBR(V):12.4V;最大钳位电压Vc(V):18.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):82A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:SMC; | 脉冲 | ||
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1.5SMC16AT3G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):13.6V;最小反向击穿电压VBR(V):15.2V;最大钳位电压Vc(V):22.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):67A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:SMC; | 脉冲 | ||
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1.5SMC20AT3G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):17.1V;最小反向击穿电压VBR(V):19V;最大钳位电压Vc(V):27.7V;最大峰值脉冲电流IPP(A):54A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:SMC; | 脉冲 | ||
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1.5SMC62AT3G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):53V;最小反向击穿电压VBR(V):58.9V;最大钳位电压Vc(V):85V;最大峰值脉冲电流IPP(A):17.7A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W (1.5kW);元器件封装:DO-214; | 脉冲 | ||
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1.5SMC82AT3G
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
反向峰值电压VRWM(V):70.1V;最小反向击穿电压VBR(V):77.9V;最大钳位电压Vc(V):113V;最大峰值脉冲电流IPP(A):13.3A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W (1.5kW);元器件封装:DO-214; | 脉冲 | ||
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10N80G-T3P-T
中文翻译 品牌: UTC |
10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A , 800V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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10N80G-TF1-T
中文翻译 品牌: UTC |
10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A , 800V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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11N40G-TF3-T
中文翻译 品牌: UTC |
400V N-CHANNEL MOSFET 400V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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12N70G-TA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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12N70G-TF1-T
中文翻译 品牌: UTC |
12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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12N70G-TF3-T
中文翻译 品牌: UTC |
12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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12N70G-TF3T-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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12P10G-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
100V P-CHANNEL MOSFET 100V P沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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12P10G-TQ2-T
中文翻译 品牌: UTC |
9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A , 100V P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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13N50G-TA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 13A , 500V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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13N50G-TF1-T
中文翻译 品牌: UTC |
13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 13A , 500V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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15N06G-TA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A , 60V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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15N06G-TF3-T
中文翻译 品牌: UTC |
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A , 60V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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15N06G-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A , 60V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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18N40G-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
400V N-CHANNEL POWER MOSFET 400V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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18N60G-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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19N10G-T3P-T
中文翻译 品牌: UTC |
100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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19N10G-TA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |