1151压 - 型号起始 - 二极管; 总记录数：3060

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		10A05-TP 中文翻译品牌: MCC	平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:1V@10A;最大反向电流(Ir):10μA@600V;元器件封装:R-6;
		10A06GP-TP 中文翻译品牌: MCC	平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:1V@10A;最大反向电流(Ir):5μA@800V;元器件封装:R-6;
		10A07GP-TP 中文翻译品牌: MCC	平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:1V@10A;最大反向电流(Ir):5μA@1kV;元器件封装:R-6;
		10DF1 中文翻译品牌: NIEC	LOW FORWARD VOLTAGE DROP 低正向压降	整流二极管
		10DF4 中文翻译品牌: NIEC	LOW FORWARD VOLTAGE DROP 低正向压降	整流二极管
		11DF4 中文翻译品牌: NIEC	LOW FORWARD VOLTAGE DROP 低正向压降	二极管
		11DQ03L 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线
		11DQ06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线功效
		11DQ09 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11DQ10 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EFS2 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	二极管
		11EQ06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EQ09 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线
		11EQS03L 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EQS06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		12TQ100 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:840mV @ 15A;最大反向电流(Ir):550µA @ 100V;最大工作结温（Tj）:175°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		12TQ150 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:150V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:860mV @ 15A;最大反向电流(Ir):1mA @ 150V;最大工作结温（Tj）:175°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		12TQ200 中文翻译品牌: SMC	反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:920mV@15A;元器件封装:TO-220AC;
		15SQ045 中文翻译品牌: SMC	反向峰值电压（Vr）:45V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:550mV@15A;元器件封装:R-6;
		19TQ015CJ 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:15V;正向压降（Vf）:360mV @ 19A;最大反向电流(Ir):10.5mA @ 15V;最大工作结温（Tj）:100°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		1A4 中文翻译品牌: JINGHENG	工作温度:-55°C ~ 150°C;最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:400V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1.1V @ 1A;最大反向电流(Ir):5µA @ 50V;最大工作结温（Tj）: 150°C;通道数:一般整流二极管;元器件封装:R-1;	整流二极管
		1N4005-E3/54 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1.1V@1A;最大反向电流(Ir):5μA@600V;元器件封装:DO-41;
		1N4007_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	反向峰值电压（Vr）:1kV;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1V 1A;最大反向电流(Ir):5μA 1kV;通道数:独立式;
		1N4148-35_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	工作温度:+175℃@(Tj);平均整流电流（Io）:150mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1V@10mA;最大反向电流(Ir):5μA@75V;最大工作结温（Tj）:+175℃@(Tj);元器件封装:DO-35;
		1N4148W-HE3-08 中文翻译品牌: VISHAY	工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:150mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.2V@100mA;最大反向电流(Ir):100μA@100V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);元器件封装:SOD-123;
		1N4148WQ-7-F EDA模型中文翻译品牌: DIODES	工作温度:-65°C ~ 150°C;最小工作结温:-65°C;反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:300mA (DC);反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.2
		1N4448TR 中文翻译品牌: VISHAY	工作温度:175°C (Max);反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:150mA;反向恢复时间（trr）:8ns;正向压降（Vf）:1V @ 100mA;最大反向电流(Ir):5µA @ 75V;最大工作结温（Tj）:175°C (Max);通道数:Standard;元器件封装:D
		1N4937-E3/54 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:1A;反向恢复时间（trr）:200ns;正向压降（Vf）:1.2V@1A;最大反向电流(Ir):5μA@600V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);元器件封装:DO-41;
		1N4937_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	工作温度:+150℃ (Tj);反向峰值电压（Vr）:600V;平均整流电流（Io）:1A;反向恢复时间（trr）:200ns;正向压降（Vf）:1.2V 1A;最大反向电流(Ir):5μA 600V;最大工作结温（Tj）:+150℃ (Tj);
		1N5400 中文翻译品牌: TYSEMI	Diffused Junction High Current Capability and Low Forward Voltage Drop 扩散结型高电流能力和低正向压降	二极管

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