1151压 - 型号起始 - 双极性晶体管; 总记录数：543

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		12A02MH-TL-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-12V，-1A，低饱和压，PNP 单 MCPH3	晶体管
		15C01M-TL-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，15V，0.7A，低饱和压，NPN 单 MCP	晶体管
		15C02MH-TL-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，15V 1A，低饱和压，NPN 单 MCPH3	晶体管
		2SA1579T106R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):140MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SA1774TLQ EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封
		2SA2018TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416;
		2SA2030T2L EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SA2040-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA	晶体管
		2SA2040-TL-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA	晶体管
		2SA2124-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-30V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP	PC 开关晶体管
		2SAR523MT2L EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SAR523UBTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-85;
		2SB1122S-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-1A，低饱和压，PNP 单 PCP	PC 晶体管
		2SB1122T-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，-50V，-1A，低饱和压，PNP 单 PCP	PC 晶体管
		2SB1132T100Q 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
		2SB1198KT146R 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-23-3
		2SB1694T106 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):380mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SB1695KT146 中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):370mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:SOT-23-3;
		2SB1710TL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SC-96;
		2SC2412KT146Q EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:NPN ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):180MHz ;元器件封
		2SC2812N6-CPA-TB-E 中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，(-)50V，(-)150mA，低饱和压，(PNP)NPN 单 CPA	晶体管
		2SC3648S-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，160V，0.7A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP	PC 小信号双极晶体管
		2SC4487T-AN EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，50V，3A，低饱和压，PNP 单 NMP	晶体管
		2SC5658T2LR EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SC5663T2L EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-723;
		2SC5964-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，(-)50V，(-)3A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP	PC 晶体管
		2SC5964-TD-H EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，(-)50V，(-)3A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP	PC 晶体管
		2SC6094-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，60V，3A，低饱和压，NPN 单 PCP	PC 开关晶体管
		2SC6095-TD-E EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	双极晶体管，80V，2.5A，低饱和压，NPN 单 PCP	PC 开关晶体管
		2SCR523UBTL EDA模型中文翻译品牌: ROHM	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):350MHz;元器件封装:SC-85;

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