1151压 - 型号起始 - 整流二极管; 总记录数：1222

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		10A06GP-TP 中文翻译品牌: MCC	平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:1V@10A;最大反向电流(Ir):5μA@800V;元器件封装:R-6;
		10A07GP-TP 中文翻译品牌: MCC	平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:1V@10A;最大反向电流(Ir):5μA@1kV;元器件封装:R-6;
		10DF1 中文翻译品牌: NIEC	LOW FORWARD VOLTAGE DROP 低正向压降	整流二极管
		10DF4 中文翻译品牌: NIEC	LOW FORWARD VOLTAGE DROP 低正向压降	整流二极管
		11DQ03L 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线
		11DQ06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线功效
		11DQ09 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11DQ10 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EQ06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EQ09 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管瞄准线
		11EQS03L 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		11EQS06 中文翻译品牌: NIEC	Low Forward Voltage drop Diode 低正向压降二极管	整流二极管
		12TQ100 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:840mV @ 15A;最大反向电流(Ir):550µA @ 100V;最大工作结温（Tj）:175°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		12TQ150 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:150V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:860mV @ 15A;最大反向电流(Ir):1mA @ 150V;最大工作结温（Tj）:175°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		12TQ200 中文翻译品牌: SMC	反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:920mV@15A;元器件封装:TO-220AC;
		15SQ045 中文翻译品牌: SMC	反向峰值电压（Vr）:45V;平均整流电流（Io）:15A;正向压降（Vf）:550mV@15A;元器件封装:R-6;
		19TQ015CJ 中文翻译品牌: SMC	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:15V;正向压降（Vf）:360mV @ 19A;最大反向电流(Ir):10.5mA @ 15V;最大工作结温（Tj）:100°C;通道数:Schottky;元器件封装:TO-220-2;
		1A4 中文翻译品牌: JINGHENG	工作温度:-55°C ~ 150°C;最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:400V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1.1V @ 1A;最大反向电流(Ir):5µA @ 50V;最大工作结温（Tj）: 150°C;通道数:一般整流二极管;元器件封装:R-1;	整流二极管
		1N4005-E3/54 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1.1V@1A;最大反向电流(Ir):5μA@600V;元器件封装:DO-41;
		1N4007_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	反向峰值电压（Vr）:1kV;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:1V 1A;最大反向电流(Ir):5μA 1kV;通道数:独立式;
		1N4148-35_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	工作温度:+175℃@(Tj);平均整流电流（Io）:150mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1V@10mA;最大反向电流(Ir):5μA@75V;最大工作结温（Tj）:+175℃@(Tj);元器件封装:DO-35;
		1N4448TR 中文翻译品牌: VISHAY	工作温度:175°C (Max);反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:150mA;反向恢复时间（trr）:8ns;正向压降（Vf）:1V @ 100mA;最大反向电流(Ir):5µA @ 75V;最大工作结温（Tj）:175°C (Max);通道数:Standard;元器件封装:D
		1N4937-E3/54 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:1A;反向恢复时间（trr）:200ns;正向压降（Vf）:1.2V@1A;最大反向电流(Ir):5μA@600V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);元器件封装:DO-41;
		1N4937_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	工作温度:+150℃ (Tj);反向峰值电压（Vr）:600V;平均整流电流（Io）:1A;反向恢复时间（trr）:200ns;正向压降（Vf）:1.2V 1A;最大反向电流(Ir):5μA 600V;最大工作结温（Tj）:+150℃ (Tj);
		1N5402-T 中文翻译品牌: DIODES	工作温度:-65°C ~ 150°C;最小工作结温:-65°C;反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:3A;正向压降（Vf）:1V @ 3A;最大反向电流(Ir):10µA @ 200V;最大工作结温（Tj）: 150°C;通道数:Standard;元器件封装:DO-201;
		1N5408_AY_10001 中文翻译品牌: PANJIT	反向峰值电压（Vr）:1kV;平均整流电流（Io）:3A;正向压降（Vf）:1.2V 3A;最大反向电流(Ir):5μA 1kV;
		1N5817-T EDA模型中文翻译品牌: DIODES	最小工作结温:-65°C;反向峰值电压（Vr）:20V;正向压降（Vf）:450mV @ 1A;最大反向电流(Ir):1mA @ 20V;最大工作结温（Tj）:125°C;通道数:肖特基;元器件封装:DO-41;
		1PS10SB82,315 中文翻译品牌: NEXPERIA	反向峰值电压（Vr）:15V;平均整流电流（Io）:30mA (DC);正向压降（Vf）:700mV @ 30mA;最大反向电流(Ir):200nA @ 1V;最大工作结温（Tj）:150°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:SOD-882;
		1PS302,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	工作温度:150°C (Max);反向峰值电压（Vr）:80V;平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:4ns;正向压降（Vf）:1.2V @ 100mA;最大反向电流(Ir):500nA @ 80V;最大工作结温（Tj）:150°C (Max);通道数:Standard;
		1PS70SB14F 中文翻译品牌: NEXPERIA	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:800mV@100mA;元器件封装:SOT-323;

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