| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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12A02MH-TL-E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-12V，-1A，低饱和压，PNP 单 MCPH3 | 晶体管 | ||
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15C01M-TL-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，15V，0.7A，低饱和压，NPN 单 MCP | 晶体管 | ||
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15C02MH-TL-E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，15V 1A，低饱和压，NPN 单 MCPH3 | 晶体管 | ||
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2DD1766P-13
中文翻译 品牌: DIODES |
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA; | |||
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2N1151
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25MA I(C) | TO-22VAR
晶体管| BJT | NPN | 25MA I（C ） | TO- 22VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N4033CSM4
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED PNP MEDIUM VOLTAGE TRANSISTOR IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE 高速PNP中压晶体管在陶瓷表面贴装封装 |
晶体 晶体管 | ||
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2N5151-220M
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | ||
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2N5153
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关 |
晶体 开关 晶体管 | ||
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2N5153-220M
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
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2N5154
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N5154X-220M
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | ||
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2N5154XSMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
晶体 晶体管 开关 | ||
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2N5322
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关 |
晶体 开关 晶体管 | ||
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2N5323
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES 高速中压开关 |
晶体 开关 晶体管 | ||
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2N5769
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3; | |||
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2SA1151
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,BJT,PNP,100MA I(C),TO-92 | ||||
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2SA1151-A
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,BJT,PNP,100MA I(C),TO-92 | ||||
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2SA1579T106R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):140MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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2SA1768S-AN
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-180V，-160A，低饱和压，PNP 单 NMP | 晶体管 | ||
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2SA1774TLQ
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA，50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封 | |||
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2SA1952TLQ
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 4A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):80MHz;元器件封装:TO-252-3; | |||
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2SA2018TL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416; | |||
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2SA2030T2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-723; | |||
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2SA2040-E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA | 晶体管 | ||
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2SA2040-TL-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-50V，-8A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA | 晶体管 | ||
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2SA2124-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-30V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SA2202-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-100V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SA2222SG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-50V，-10A，低饱和压，PNP TO-220F-3FS | 局域网 开关 晶体管 | ||
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2SA733P
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 10mA，100mA ;最大耗散功率Pd(W):625 mW ;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):50MHz ;元器件封装: | ||||
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2SAR523MT2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723; |