所属品牌:不限 TOREX(9624) MOLEX(8921) VECTRON(4012) KYOCERA AVX(3081) SICK(2144) VISHAY(2011) GLENAIR(1740) WALSIN(1428) ETC(1331) TDK(1264) HRS(856) LITTELFUSE(698) KOA(691) JST(645) STMICROELECTRONICS(564) CRYSTEKMICROWAVE(560) FCI-CONNECTOR(545) JJM(533) TI(529) SENSITRON(510) INTERSIL(408) INFINEON(376) ONSEMI(365) PASTERNACK(362) RICOH(335) TTELEC(305) IDT(302) RCD(279) MACOM(268) MAXIM(231) DDK(228)
功能分类:不限 连接器(9143) 放大器(6459) 运算放大器(3298) 参考电压源(6297) 稳压器(9967) 限制器(2949) 振荡器(5542) 晶体振荡器(4763) 插座(3765) 集管和边缘连接器(2368) 温度补偿(1701) 电容器(1404) 陶瓷电容器(1268) 开关(1361) 连接器支架(685) PC(1308) 石英晶振(570) 压控振荡器(731) 二极管(595) 高压(451) 电阻器(331) 机械(389) 驱动(307) 圆形连接器(285) 整流二极管(416) 电池(396) 电源连接器(290) 接线终端(191) 端子和端子排(260) 模拟IC(172) 传感器(326) 压力传感器(227) 光电二极管(1146) 控制器(303) ISM频段(137) 输出元件(788) 调节器(484) 工具和机器(162) 双倍数据速率(244) 驱动器(246) 双极性晶体管(272) 瞄准线(128) 功效(124) 接口集成电路(89) 线性稳压器IC(190) 电源电路(481) IOT(81) D 型连接器(57) 商用集成电路(64) 电熔丝(49) 电路保护(92)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
0603B103K500CT
中文翻译 品牌: RICHTEK
最大输入耐压(V):6.5V;最大线性压差(V):180mV @ 3A;最小工作温度(℃):-55°C;最大工作温度(℃):125°C;元器件封装:0603;
2DD1766P-13
中文翻译 品牌: DIODES
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA;
2EDL8024G
中文翻译 品牌: INFINEON
EiceDRIVER™ 2EDL8024G 双通道结隔离式栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 设计,如电信和 DC-DC 转换器 栅极驱动 电信 驱动器 转换器
2N5769 EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI
CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3;
2SA1201Y
中文翻译 品牌: SHIKUES
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):800mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):1V 500mA,50mA;最大耗散功率Pd(W):1W;变换频率ft(MHz):120MHz;
2SA1312-BL
中文翻译 品牌: KIOXIA
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):125°C ;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-23-3;
2SA1579T106R EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):120V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 1mA, 10mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):140MHz;元器件封装:SOT-323;
2SA1774TLQ EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 5mA,50mA ;最大耗散功率Pd(W):150 mW ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):140MHz ;元器件封
2SA1900T100Q
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 50mA,500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
2SA1952TLQ EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 4A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):80MHz;元器件封装:TO-252-3;
2SA2018TL EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-416;
2SA2030T2L EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):12V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):250mV @ 10mA, 200mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):260MHz;元器件封装:SOT-723;
2SA2071T100Q EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):3A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):2W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:TO-243AA;
2SA733P EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 10mA,100mA ;最大耗散功率Pd(W):625 mW ;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):50MHz ;元器件封装:
2SAR502U3T106 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):30 V ;最大集电极电流Ic(mA):500 mA ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 10mA,200mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):520MHz ;元器
2SAR514RTL EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):700mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 15mA, 300mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):380MHz;元器件封装:SC-96;
2SAR523MT2L EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SOT-723;
2SAR523UBTL EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA, 50mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:SC-85;
2SAR553PFRAT100 EDA模型
中文翻译 品牌: RENESAS
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):2 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 35mA,700mA ;最大耗散功率Pd(W):500 mW ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):320MHz ;元器件封装
2SAR554RTL EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):340MHz;元器件封装:SC-96;
2SAR572D3TL1 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 100mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):10W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):300MHz;元器件封装:TO-252-3;
2SAR574D3TL1 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):10W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:TO-252-3;
2SB1132T100Q
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA,500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
2SB1198KT146R
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):80V;最大集电极电流Ic(mA):500mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:SOT-23-3
2SB1694T106 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):380mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SOT-323;
2SB1695KT146
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):370mV @ 50mA, 1A;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):280MHz;元器件封装:SOT-23-3;
2SB1710TL EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):350mV @ 25mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):500mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):320MHz;元器件封装:SC-96;
2SC2412KT146Q EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;最大集电极电流Ic(mA):150 mA ;类型:NPN ;CE结饱和压降Vce(sat):400mV @ 5mA,50mA ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):180MHz ;元器件封
2SC2712Y
中文翻译 品牌: SHIKUES
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):100mV 100mA,10mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;变换频率ft(MHz):80MHz;
2SC2714Y
中文翻译 品牌: SHIKUES
CE结击穿电压Vceo(V):20V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):400mV 100mA,10mA;最大耗散功率Pd(W):225mW;变换频率ft(MHz):600MHz;
Total:30012345678910...10
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。