1151压 - 型号起始 - 肖特基二极管; 总记录数：46

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5817-T EDA模型中文翻译品牌: DIODES	最小工作结温:-65°C;反向峰值电压（Vr）:20V;正向压降（Vf）:450mV @ 1A;最大反向电流(Ir):1mA @ 20V;最大工作结温（Tj）:125°C;通道数:肖特基;元器件封装:DO-41;
		BAT54 中文翻译品牌: ONSEMI	最小工作结温:-55°C;反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:800mV @ 100mA;最大反向电流(Ir):2µA @ 25V;最大工作结温（Tj）:150°C;通道数:Schottky;元器件封装:SOT-23-3;
		BAT54WS-TP EDA模型中文翻译品牌: MCC	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:1V@100mA;元器件封装:SOD-323;
		BAT70-05 中文翻译品牌: INFINEON	Silicon Schottky Diodes (Parallel connection for maximum IF per package Low forward voltage drop For power supply) 硅肖特基二极管（ IF每包低正向压降为电源的最大并行连接）	肖特基二极管
		BYQ28X-200,127 中文翻译品牌: WEEN	工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:10A;反向恢复时间（trr）:15ns;正向压降（Vf）:1.1V@10A;最大反向电流(Ir):2μA@200V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:1对共阴极;元器件封装:TO-220F;
		BYT79-500,127 中文翻译品牌: WEEN	工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:14A;反向恢复时间（trr）:60ns;正向压降（Vf）:1.17V@30A;最大反向电流(Ir):5μA@500V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:TO-220AC;
		BYV29-500,127 中文翻译品牌: WEEN	工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:9A;反向恢复时间（trr）:50ns;正向压降（Vf）:1.2V@20A;最大反向电流(Ir):2μA@500V;最大工作结温（Tj）:+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:TO-220AC;
		DDB2U20N12W1RF_B11 中文翻译品牌: INFINEON	EasyBRIDGE 1 1200 V、20 A二极管桥接模块，采用CoolSiC™肖特基二极管、PressFIT压接工艺和NTC。	肖特基二极管
		DDB2U40N12W1RF_B11 中文翻译品牌: INFINEON	EasyBRIDGE 1 1200 V、40 A二极管桥接模块，采用CoolSiC™肖特基二极管、PressFIT压接工艺和NTC。	肖特基二极管
		DDB2U60N12W1RF_B11 中文翻译品牌: INFINEON	EasyBRIDGE 1 1200 V、60 A二极管桥接模块，采用CoolSiC?肖特基二极管、PressFIT压接工艺和NTC。	肖特基二极管
		FMEN-430A 中文翻译品牌: SANKEN	此款肖特基二极管通过降低由正向压降和漏电流引起的损耗，有助于提高开关电源的效率。	开关肖特基二极管
		FMES-21010 中文翻译品牌: SANKEN	此款肖特基二极管通过降低由正向压降和漏电流引起的损耗，有助于提高开关电源的效率。	开关肖特基二极管
		FMES-22010 中文翻译品牌: SANKEN	此款肖特基二极管通过降低由正向压降和漏电流引起的损耗，有助于提高开关电源的效率。	开关肖特基二极管
		FMES-23010 中文翻译品牌: SANKEN	此款肖特基二极管通过降低由正向压降和漏电流引起的损耗，有助于提高开关电源的效率。	开关肖特基二极管
		FMES-24010 中文翻译品牌: SANKEN	此款肖特基二极管通过降低由正向压降和漏电流引起的损耗，有助于提高开关电源的效率。	开关肖特基二极管
		MSASC100H45H 中文翻译品牌: MICROSEMI	SURFACE MOUNT LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE 表面贴装小压降的肖特基二极管	肖特基二极管
		MSASC100H45HR 中文翻译品牌: MICROSEMI	SURFACE MOUNT LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE 表面贴装小压降的肖特基二极管	肖特基二极管
		Q62702-A1223 中文翻译品牌: INFINEON	Silicon Schottky Diodes (Parallel connection for maximum IF per package Low forward voltage drop For power supply) 硅肖特基二极管（ IF每包低正向压降为电源的最大并行连接）	肖特基二极管
		RB160L-40TE25 中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:550mV@1A;元器件封装:DO-214;
		RB160MM-30TR EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:480mV @ 1A;最大反向电流(Ir):50µA @ 30V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:SOD-123F;
		RB161VAM-20TR EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:20V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:420mV @ 1A;最大反向电流(Ir):1mA @ 20V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:2-SMD;
		RB162MM-60TR EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:60V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:650mV @ 1A;最大反向电流(Ir):100µA @ 60V;最大工作结温（Tj）:150°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:SOD-123F;
		RB421DT146 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:550mV @ 100mA;最大反向电流(Ir):30µA @ 10V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:SOT-23-3;
		RB451FT106 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:100mA;正向压降（Vf）:550mV @ 100mA;最大反向电流(Ir):30µA @ 10V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:SOT-323;
		RB520SM-30T2R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:580mV@200mA;元器件封装:SOD-523;
		RB520SM-40T2R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:550mV@100mA;元器件封装:SOD-523;
		RB521SM-30T2R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:470mV@200mA;元器件封装:SOD-523;
		RB521SM-40T2R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:200mA;正向压降（Vf）:540mV@200mA;元器件封装:SOD-523;
		RB731UT108 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:40V;正向压降（Vf）:370mV @ 1mA;最大反向电流(Ir):1µA @ 10V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;
		RB751CM-40T2R EDA模型中文翻译品牌: ROHM	反向峰值电压（Vr）:30V;平均整流电流（Io）:30mA;正向压降（Vf）:370mV @ 1mA;最大反向电流(Ir):500nA @ 30V;最大工作结温（Tj）:125°C (Max);通道数:Schottky;元器件封装:2-SMD;

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