| 型号等于： | 12N10 (2) |
| 型号起始： | 12N1* (58) 12N10* (56) 12N12* (1) 12N15* (1) |
| 所属品牌： | 不限 APITECH(43) UTC(10) ETC(3) PINGWEI(1) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 衰减器(30) 射频(30) 微波(30) 模拟IC(3) 光电二极管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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12N10
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):15A;最大导通阻抗Ron(mΩ):114mΩ 10V,3A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3W;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 |
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