型号等于：	12N10 (4) 12N10P (1)
型号起始：	12N10* (58) 12N10G* (4) 12N10K* (1) 12N10L* (4) 12N10P* (1) 12N10W* (43) 12N10_* (1)
所属品牌：	不限 APITECH(43) UTC(10) ETC(1) PINGWEI(1) UMW(1)
功能分类：	不限衰减器(30) 射频(30) 微波(30) 模拟IC(1) 光电二极管(1)

12N10 - 型号起始 - 栅; 总记录数：1

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		12N10 中文翻译品牌: VBSEMI	漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):15A;最大导通阻抗Ron(mΩ):114mΩ 10V,3A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3W;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA;	栅

Total:11

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