18查询 - Datasheet ICPDF资料库

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		10145891-1531J18LF 中文翻译品牌: AMPHENOL	DDR4 DIMM, Storage and Server Connector, Vertical, Surface Mount, 288 Position, 0.85mm (0.033in) Pitch	双倍数据速率
		10145891-1531K18LF 中文翻译品牌: AMPHENOL	DDR4 DIMM, Storage and Server Connector, Vertical, Surface Mount, 288 Position, 0.85mm (0.033in) Pitch	双倍数据速率
		10145891-1532J18LF 中文翻译品牌: AMPHENOL	DDR4 DIMM, Storage and Server Connector, Vertical, Surface Mount, 288 Position, 0.85mm (0.033in) Pitch	双倍数据速率
		1700018839 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		1960024933S00B 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		1960047470N001 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		1960050034N001 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		1960050034N011 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		1960050035N001 中文翻译品牌: ADVANTECH	Intel Atom N455/D525 3.5" SBC, DDR3, 18/24-bit LVDS, VGA/HDMI, 2 GbE, Mini PCIe, CF	PC 双倍数据速率
		8185-2 中文翻译品牌: INTEL	Standard SRAM, 1KX8, NMOS, PDIP18	双倍数据速率静态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C128M32MD2A-18BIN 中文翻译品牌: ALSC	Low power DDR2 SDRAM	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		CAT34C02_18 中文翻译品牌: ONSEMI	EEPROM Serial 2-Kb I2C forDDR2 DIMM SPD	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器双倍数据速率光电二极管
		CDP1882E 中文翻译品牌: RENESAS	IC,ADDRESS DECODER,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC	双倍数据速率
		CXK77L18162GB-25 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77L18162GB-3 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77Q18162AGB-25 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77Q18162AGB-3 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77Q18162AGB-3A 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77Q18162GB-25 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77Q18162GB-27 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77R1882AGB-35 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 512KX18, 2.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77R1882AGB-39 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77R1882AGB-39A 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 512KX18, 2.4ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CXK77R1882AGB-42 中文翻译品牌: SONY	DDR SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CY7C11461KV18 中文翻译品牌: CYPRESS	18-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 18兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟）	静态存储器双倍数据速率
		CY7C1146KV18 中文翻译品牌: CYPRESS	18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）	静态存储器双倍数据速率
		CY7C1146V18 中文翻译品牌: CYPRESS	18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 18兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟）	静态存储器双倍数据速率
		CY7C1146V18-300BZC 中文翻译品牌: CYPRESS	DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CY7C1146V18-300BZI 中文翻译品牌: CYPRESS	DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
		CY7C1146V18-300BZXI 中文翻译品牌: CYPRESS	DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路

18 - 型号起始 - 双倍数据速率; 总记录数：6015